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3.1.3点缺陷化学反应式的书写规则在化合物MａXｂ中，无论是否存在缺陷，其正负离子位置数（即格点数）之比始终是一个常数a:b,即M的格点数：X的格点数=2:3。例如在A12O3中，A1：O＝2：3，在A12O3晶体形成点缺陷后阳离子和阴离子的位置比也必须是2:3。1、位置关系：比如MgO晶体的肖特基缺陷。
位置关系强调形成缺陷时，基质晶体中正负离子格点数之比保持不变，并非原子个数比保持不变。1、位置关系：例：TiO2在还原气氛下变为TiO2-x，原子数由1:2变成1:2-x，钛与氧原子的位置比仍为1：2，其中包括x个氧离子空位。
引起位置增殖的缺陷有：VM、Vx、MM、Mx、XM、Xx等。位置增殖：当缺陷发生变化时，有可能引入M空位VM，也可能把VM消除。当引入空位或消除空位时，相当于增加或减少M的点阵位置数。但发生这种变化时，要服从位置关系。不发生位置增殖的缺陷有：e‘、h·、Mi、Xi等。表面位置：当一个M原子从晶体内部迁移到表面时，用符号Ms表示，下标S表示表面位置，在缺陷化学反应中表面位置一般不特别表示。
2、质量平衡：缺陷反应方程的两边必须保持质量平衡。3、电荷守恒：在缺陷反应前后晶体必须保持电中性，或者说缺陷反应式两边必须具有相同数目的总有效电荷。书写缺陷反应方程式必须同时符合位置关系、质量平衡和电荷守恒三个规则。
杂质缺陷方程式（杂质在基质中溶解过程）:一般式为：基质杂质产生的各种缺陷
举例说明如下：表示KCl作为溶剂。以上三种写法均符合缺陷反应规则。实际上（1－1）比较合理。①CaCl2溶解在KCl中
（1－5〕较不合理。因为Mg2+进入间隙位置不易发生。②MgO溶解到Al2O3晶格中
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