化学机械抛光过程优化研究.pdf

EPE 电子工业专用设备 ·制造工艺与设备· Equipment for Electronic Products Manufacturing 化学机械抛光过程优化研究 詹 阳，周国安 ( 中国电子科技集团公司第四十五研究所，北京东燕郊 101601) 摘 要： 根据承载器与抛光台的转速、 浆料中微粒尺寸及下压力对抛光工艺的影响进行统计分 析， 特别是工艺中的抛光去除率、 金属碟形缺陷和层间介质的侵蚀作为输出结果的主要参考因 素。 采用 水平 因数的实验方案，结合信噪比方式对数据进行处理，使用田口玄一法进行数据 3 3 的加工，从形成的 参数 水平对输出结果影响的 子图上，获取最优的工艺参数组合。 选取根 3 3 3 据经验的常用参数组合作为参照，发现新的优化方式能够提高 10%的去除率，降低15%的碟形缺 陷和侵蚀，显著的改善抛光质量。 关键词： 化学机械平坦化；去除率；碟形缺陷；侵蚀；下压力；颗粒尺寸 中图分类号： TN305.2 文献标识码： A 文章编号： 1004-4507(2009)01-0037-03 Study on Optimum Process of CMP ZHAN Yang ，ZHOU Guoan (The 45th Research Institute of CETC ，East Yanjiao, Beijing 101601,China) Abstract: we get the statistical analysis about the speed of carrier and polishing table, particle size of slurry and down pressure that affect the technology, in particular removal rate 、metal dishing and ILD erosion as output is very important factors. To do 3 levels and 3 factors experiment, to get data by the signal-to-noise ratio way, to use Taguchi concept processing the data, to form the 3 subfigure of 3 parameters and 3 levels, and to get the best optimization. Select project by the experience method as compare, the optimization process improve the material removal rate by about 10%, and reduced the erosion and dishing by more than 15%. All of that obvious improve the quality of the polishing wafer. Keywords: CMP ；Material removal rate ；Dishing defect ；Erosion ；Down pressure ；Particle size 化学机械平坦化(CMP)是一个复杂的化学机械 抛光液、抛光垫以及抛光工艺参数等多种因素相关， 加工过程，其加工质量和水平与被抛光材料的特性、