衬底驱动超低压CMOS带隙基准电压源.pdf

　第26卷　第4期 固体电子学研究与进展 V o l. 26,N o. 4 　　　　　　　　　 　　　　　　　　 　2006 年 11 月 R E SEA R CH PRO GR E SS O F SSE N ov. , 2006 硅微电子学 衬底驱动超低压CM O S 带隙基准电压源 张海军　杨银堂　朱樟明　张宝君 (西安电子科技大学微电子研究所, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安, 7 1007 1) 收稿, 20060 104 收改稿 摘要: 采用二阶温度补偿和 电流反馈技术, 设计实现了一种基于衬底驱动技术和 电阻分压技术的超低压 CM O S 带隙基准电压源。采用衬底驱动超低压运算放大器作为基准源的负反馈, 使其输出用于产生 自身的电流源 偏置, 其电源抑制比(P S R R ) 为- 638 dB 。采用H sp ice 仿真, 在0 9 V 电源电压下, 输出基准电压为572 45 mV , 温 度系数为 133 °。在0 8～ 14 电源电压范围内, 输出基准电压变化35 。基于 0 25 2 5 ppm C V mV T SM C m P M CM O S 工艺实现的衬底驱动带隙基准电压源的版图面积为203 m ×4781 m 。 关键词: 衬底驱动; 超低压; 互补金属氧化物半导体; 带隙基准源; 温度系数; 电源抑制比 中图分类号: TN 402　　文献标识码: A 　　文章编号:(2006) 0453 105 U ltra- low Voltage CM O S Ban dgap Voltage Ref eren ce Ba sed - on Bulk dr iven Techn ique ZHAN G H a ijun 　YAN G Y in tan g　ZHU Zh an gm in g　ZHAN G B aojun ( , . M icroelec tron ics I ns titu te K ey L ab of M in is try of E d uca tion f or W id e B and g ap S em icond uc tor , , ’ , 7 1007 1, ) M a ter ia ls and D ev ices X id ian U n iv ers ity X i an CH N :