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IRF540 N 沟道沟道 MOS 管管
沟道沟道 管管
特性特性
特性特性
‘Thrench ’工艺
低的导通内阻
快速开关
低热敏电阻
综述综述
综述综述
使用沟渠工艺封装的 N 通道增强型场效应功率晶体管
应用：
DC 到 DC 转换器
开关电源
电视及电脑显示器电源
IRF540中提供的是 SOT78(TO220AB)常规铅的包裹。
IRF540S中提供的是SOT404(D PAK)表面安装的包裹。
管脚管脚
管脚管脚
管脚 描述
1 Gate
2 Drain
3 Source
Tab Drain
极限值极限值
极限值极限值
系统绝对最大值依照限制值
符号 参数 条件 最小值 最大值 单位
V_DSS 漏源极电压 Tj= 25 ˚C to 175˚C - 100 V
V_DGR 漏门极电压 Tj = 25 ˚C to 175˚C; - 100 V
V_GS 门源极电压 RGS = 20 kΩ - ±20 V
I_D 连续漏电流 - 23 A
Tmb = 25 ˚C; VGS = 10 V - 16 A
I_DM 脉冲漏电流 Tmb = 100 ˚C; VGS = 10 V - 92 A
P_D 总功耗 Tmb = 25 ˚C - 100 W
Tj，Tsig 操作点和 Tmb = 25 ˚C -55 175 ℃
存储温度
雪崩能量极限值雪崩能量极限值
雪崩能量极限值雪崩能量极限值
符号 参数 条件 最小值 最大值 单位
非重复性雪 Unclamped inductive load, IAS = 10 A; - 230 mJ
E
AS
崩能量 tp = 350 µs; Tj prior to avalanche = 25˚C;
最大非重复 VDD ≤ 25 V; RGS = 50 Ω; VGS = 10 V; - 23 A
I
AS
性雪崩电流 refer to fig:14
热敏电阻热敏电阻
热敏电阻热敏电阻
符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位
安装底座交界 - - 1.5 K/W
R
thj− mb 处的热阻
周围环境热阻 SOT78 封装，自由空间 - 60 - K/W
R
thj− a
SOT404 封装，PCB 上 - 50 - K/W
电
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