第三章 门电路.ppt

第三章 门电路 本章主要内容 3.1 概述 3.1 概述 由表中可以看出 3. 高低电平的实现 3.1 概述 互补开关电路的原理为 4. 数字电路的概述 (2) 分类： 按导电类型可分为 3.2 半导体二极管门电路 对于图3.2.1所示二极管开关电路，由于二极管具有单向导电性，故它可相当受外加电压控制的开关。 当vI＝VIL＝0时，D导通，输出电压vo＝ VOL ＝0 二极管的动态电流波形如图3.2.3所示 3.2.1半导体二极管的开关特性 3.2.2 二极管与门 其输入输出及真值表如表3.2.1和3.2.2所示 3.2.3 二极管或门 3.2.2 二极管或门 二极管构成的门电路的缺点: 3.3 CMOS门电路 3.3.1 MOS管(绝缘栅）的开关特性 NMOS共源极接法电路如图3.3.2（a）所示，输出特性如(b)所示 增强型NMOS共源极接法电路如图3.3.3（a）所示，转移特性如(b)所示 3.3.1 MOS管(绝缘栅）的开关特性 b. 增强型PMOS 增强型PMOS共源极接法电路如图3.3.5（a）所示，转移特性如(b)所示 vGS VGS (th) 时,管子导通，iD∝ V 2GS c. 耗尽型NMOS 耗尽型NMOS共源极接法电路如图3.3.7（a）所示，转移特性如(b)所示 d. 耗尽型PMOS 耗尽型PMOS共源极接法电路如图3.3.9（a）所示，转移特性如(b)所示 3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理 2.工作原理 当vI＝VIH＝VDD为高电平时，T2导通， T1管截止，输出电压为低电平，即 特点 二、电压传输特性和电流传输特性 AB段：输入低电平 BC段： 2.电流传输特性 CD段：输入高电平 BC段： 三、输入端噪声容限 2.计算方法 其中： 则输入噪声容限为 输入噪声容限和电源电压VDD有关，当VDD增加时，电压传输特性右移，如图3.3.14所示 3.3.3 CMOS 反相器的静态输入和输出特性 图3.3.15为CMOS反相器的两种常用保护电路 在输入信号正常工作范围内，即0≤vI ≤VDD，输入端保护电路不起作用。当vI VDD+VF时，D1导通，将栅极电位vG钳位在VDD+VF，而当vI -VF时， D2导通，将栅极电位vG钳位在－VF，这样使得C1、 C2不会超过允许值。 其输入特性如图3.3.16所示 二、输出特性 其特性曲线如图3.3.18所示 2.高电平输出特性 其特性曲线如图3.3.19所示 3.3.4 CMOS反相器的动态特性 一、传输延迟时间tPHL和tPLH 图3.3.20为CMOS非门的输出输入波形。 二、交流噪声容限 三、动态功耗 两个管子同时导通时的功耗PT为 总的动态功耗为 3.3.5 其他类型的CMOS逻辑门 故： 2. 或非门： 3.带缓冲级的CMOS门电路 ②输出的高低电平受输入端数目的影响 改进电路均采用带缓冲级的结构，如图3.3.23为带缓冲级的CMOS与非门电路 输出为 二、漏极开路输出的门电路（OD门） 图3.3.25所示为OD门的逻辑符号 当A、B有一个为低电平，则TN 截止，输出vo＝VDD2，为高电平；当A、B同时为高电平，则TN 导通，输出vo＝0，为低电平。故输出输入的逻辑关系为 3.“线与”的实现 其工作原理为： 输出端逻辑式为 4.上拉电阻RL的计算 若OD门输出管输出管截止时的漏电流为IOH，负载门高输入为电平时的输入电流为IIH，n为并联OD门（驱动门）的个数，m为负载门输入高电平电流的个数，则有 ② OD门输出为低电平 5.OD门的特点： ②电平转换 ③实现数据采集 解：驱动管输出为高电平时 三、 CMOS传输门 2.工作原理 （2）C＝1， C?＝0 *CMOS双向模拟开关 CMOS双向模拟开关电路是由CMOS传输门和反相器组成，如图3.3.36所示。和CMOS传输门一样，它也是属于双向器件。 当C＝0时，开关截止，则 其中KTG为输出电压和输入电压的比值，称为电压传输系数，即 四、三态输出的CMOS门电路 其工作原理为 图3.3.39为另一种CMOS三态非门，使能端（控制端）也是低电平有效 图3.3.40所示电路也是一种CMOS三态非门 例3.3.2 CMOS门电路如图3.3.41所示，试分析电路的逻辑功能 例3.3.3 由CMOS传输门构成的电路如图3.3.42（a）、（b）、（c）所示，试写出各电路的输出函数的表达式。 (b)输出、输入真值表为 (C)其输出输入真值表为 例3.3.4 电路如图3.3.43所示。试分析其逻辑功能 三态门的应用 b. 数据的双向传输 3.5.1 双极型三极管的开关特