《现代分析技术》Crystal2.pptVIP

* 3. 衍射强度 由晶胞的组成成分及结构确定，研究中仅涉及探测束与 电子的相互作用 相干散射——叠加原理成立 研究路线: 单电子?原子?晶胞?理想小晶体 (i) 单个电子的散射 ▲相干散射(Thomson散射) 与原子的内层电子相遇——用经典理论解释。 散射波与入射波之间频率(波长)相同, 具有明确相位关系。电子集合体的总效应, 可用叠加原理来计算。散射波的总振幅为每个电子的个别散射振幅之和。 入射线在O处受到一个电子散射, 在任何一点p处的散射电场强度振幅为 其中: E0: 入射线电场强度 R: op间距离 ?: 电场强度方向 与散射方向间夹角 m: 电子质量 I: 表示强度 对于非偏振入射束, (在各方向几率相同) 可见: ○散射强度是偏振的, 为偏振因数 ○质子带电荷与电子相同而其质量是电子的1837倍, 因此其散射强度是电子1/(1837)2, 可忽略不计。 ▲ 非相干散射(Compton散射, 吴有 训散射) 入射束与原子的外层电子相互作用 采用模型: 一个光子与一个电子相互作用 粒子-粒子之间碰撞采用理论: 量子力学 散射波之间无明确的相位关系, 不能采用叠加原理, 因此只提供衍射图形本底。 (ii) 一个原子的散射 原子核外的电子云叠加原理: 原子总的散射振幅是电子云中所有各点散射元散射的合成振幅 a) 电子云中任一点p与原点o处散射的相位差: (如前述) b) 对于j电子，其电子密度分布函数 ， 沿 方向的散射 其中Ae为处于原点O处一个经典电子相干散射振幅 c) 原子中所有电子相干散射波的合成振幅(Aa) Z个电子总的电子密度分布函数 定义: 原子散射因数f (iii) 一个晶胞的散射 ▲ 单位晶胞散射振幅 其中 : 晶胞中电子云密度分布 : 晶胞体积 定义结构因数F (为晶胞中任一点与原点间的相位差) 结构因数为晶胞中电子密度分布函数的付立叶变换 ▲ 结构因数的计算 : 晶胞中各原子电子密度在 点的总贡献 : 研究点距原点O的距离 : 第j个原子中心位置 : 所研究点距本原子中心的位置 (n: 总原子数) 假若Aj中心位置固定, 的变化表现于 的变化 对上式作如下三点改变: ① 改变积分与求和的顺序 ② 提出(表示不同原子散射振幅的相位因子与求和有关, 与积分无关) ③ 积分体积由晶胞变为原子 晶胞中不同位置原子的电子密度分布函数 , 结构因子F与下列因素有关: ○原子种类(fj) ○原子在晶胞中的位置( ) ○晶胞中原子数(n) ○衍射面(hkl) ▲ 结构因子计算实例 注意: 每个晶胞所含原子个数 ○简单点阵 每个晶胞中只有一个原子, 坐标(000) 表明: 与晶面指数无关, 所有面都有反射, 且具有相同的结构因子。与反射面对应的倒易点构成初基倒易点阵。 ○体心立方 单位晶胞中有两个原子, 坐标(000), ( ) 当 ? 当 ? 消光现象：结构因子F为0 (110),(200),(211),(220)等面有反射, 对应的倒易点组成面心倒易点阵, 而(100),(111),(210),(221)等面均无反射 ○面心立方 单位晶胞中包含4个原子 反射面对应的倒易点阵组成体心立方倒易点阵 (iv) 一个理想小晶体的散射 ▲把每个晶胞看成散射单元, 散射振幅为: : 晶胞原点相对于晶体原点的位置 若N1, N2, N3为晶体在三个方向的晶胞数