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 前 言 本标准根据我省太阳能光伏产业发展的实际需求，以GB/ 1.1-2009《标准化工作导则 第1部分：标准的结构与编写》为依据，结合国内外光伏产业的现状和发展趋势制定而成。 本标准由陕西电子信息集团有限公司提出。 本标准由归口。 本标准由、、 本标准主要起草人 本标准为首次发布。  范围 本标准规定了太阳能电池用单晶硅棒的技术要求、试验方法和检验规则等。 本标准适用于制备太阳能电池用单晶硅棒的检验。 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件，凡是不注明日期的引用文件，其最新版本（包含所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 155硅单晶电阻率测 GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 GB/T 155硅 GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1557-2006 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1558 GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T 12963 硅多晶 GB/T 14264 半导体材料术语 SEMI MF1535 通过微波反射光电导衰退法非接触测量硅片中载流子复合寿命的试验方法 术语和定义 GB/T 14264-2009界定的术语和定义适用于本标准。 技术要求 4.1 外观要求 单晶硅棒表面应光滑，要求无缺口、裂纹、划痕及刀痕；断面崩边不应有长度和宽度超过5mm、深度超过1.5mm的V型缺口。 4.2 外形尺寸 4.2.1 圆形单晶硅棒 圆形单晶硅棒的长度由供需双方协商，直径见表1： 表1 圆形单晶硅棒直径及偏差 规 格 6″ 6.5″ 8″ 直径及偏差（mm） 152 ﹢4 165 ﹢7 203 ﹢5 0 0 0 注：1）圆形单晶硅棒的直径均指未滚圆的直径 2）6.5″圆形单晶硅棒的直径一般趋向上偏差，下偏差为极限尺寸。 4.2.2 准方形单晶硅棒 准方形单晶硅棒的断面物理尺寸应符合图1、表2规定: 图1 准方形单晶硅棒的断面物理尺寸 表2 准方形单晶硅棒的断面物理尺寸（字母对应图1所示） 单位为毫米 规 格 A（边长） B（标称直径） C（弦长） D（倒角投影） E（相邻面垂直度） 断面几何垂直度 6″ 125±0.5 150±0.5 82.9±1 21.05±1 90°±0.3° 90°±1° 6.5″ 125±0.5 165±0.5 107.7±1 8.66±1 8″ 156±0.5 200±0.5 125.1±1 15.43±1 注：1) 标称直经是指准方形单晶硅棒经过滚圆后的直径。 2) 直径及其偏差如有特殊要求，由供需双方协商确定。 4.3 电性能参数 单晶硅棒导电类型、晶向及偏离度、电阻率、径向电阻率变化、少数载流子寿命，见表3： 表3 单晶硅棒电性能参数 导电类型 晶向及偏离度 电阻率/Ω.cm 径向电阻率变化﹪ 少数载流子寿命/μs P 100±3° 0.5～6 ≤15 ≥2 N 100±3° 0.5～20 ≤20 ≥60 注：本表中少数载流子寿命值是未经过钝化的测试值。 4.3.1 导电类型 导电类型见表3。 4.3.2 晶向及偏离度 晶向及偏离度为见表3。 4.3.3 电阻率 电阻率见表3。 4.3.4 径向电阻率变化 径向电阻率变化见表3。 4.3.5 少数载流子寿命 少数载流子寿命见表3。 4.4 晶体完整性 单晶硅棒晶体完整性是由晶体位错密度指标所反应，其位错密度应不大于3000/cm2。 4.5 氧含量 单晶硅棒的氧含量应不大于1.2×1018atom/cm3。 4.6 碳含量 单晶硅棒的碳含量应不大于5×1016 atom/cm3。 5 试验方法 5.1 试验设备与试验条件 本标准试验设备和试验条件，由相对应的试验方法标准规定，各试验设备应鉴定合格并在有效期内，同时应保证在各自对应的试验条件下进行。 5.1.1 试样 取样位置规定： a) 检验单晶少数载流子寿命，应在原始单晶的尾部切取试样。 b) 检验单晶的氧含量，应在原始单晶的头部切取试样。