LED产业分析报告.doc

LED产业分析 当前全球能源短缺的忧虑再度升高的背景下，节约能源未来面临的重要的问题，在照明领域，LED发光产品 具有节能、环保、寿命长、体积小等特点正吸引着世人的目光LED作为一种新型的绿色光源产品， 可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域必然未来发展的趋势，二十一世纪将进入以LED为代表的新型照明光源时代。 白炽灯LED产品概述 一、LED定义及分类 1、LED定义及原理结构 LED是英文ight Emitting Diode（发光二极管）的缩写，它的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，所以LED的抗震性能好。 发光二极管的核心部分是由p型半导体和n型半导体组成的晶片，在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层，称为p-n结。在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压，极管叫发光二极管，通称LED。当它处于正向工作状态时（即两端加上正向电压），电流从LED阳极流向阴极时，半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线，光的强弱与电流有关。LED的制作流程包括上游的单晶片衬底制作、外延晶片生长，中游的芯片、电极制作、切割和测试分选，以及下游的产品封装。 国际和国内MOVCD设备基本是全进口的，主要厂商为美国VEECO公司和德国AIXTRON公司两家。 上游外延工艺 在外延炉（Metal Organic Chemical Vapor Deposition，简称MOCVD）高温高压无氧环境下，有机金属（MO源）和氢化物分解成原子有序地淀积在晶片的表面，成为外延层（Epitaxy）。上游外延制造附加值最高。 中游芯片工艺 中游厂商根据LED元件结构的需要，先进行金属蒸镀，然后在外延晶片上光罩蚀刻及热处理而制作LED两端的金属电极，接着将衬底磨薄、抛光后切割为细小的LED芯片，由于衬底较脆且机械加工性差，芯片切割过程的成品率为中游制作阶段的重点。中游的最后一步是测试分选。 下游封装工艺最早应用半导体P-N结发光原理制成的LED光源问世于20世纪60年代初。当时所用的材料是GaAsP，发红光（λp=650nm），在驱动电流为20毫安时，光通量只有千分之几个流明，相应的发光效率约0.1流明/瓦。 70年代中期，引入元素In和N，使LED产生绿光（λp=555nm），黄光（λp=590nm）和橙光（λp=610nm），光效也提高到1流明/瓦。 到了80年代初，出现了GaAlAs的LED光源，使得红色LED的光效达到10流明/瓦。 90年代初，发红光、黄光的GaAlInP和发绿、蓝光的GaInN两种新材料的开发成功，使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年，前者做成的 LED在红、橙区（λp=615nm）的光效达到100流明/瓦，而后者制成的LED在绿色区域（λp=530nm）的光效可以达到50流明/瓦。LED相对与传统的白炽灯和荧光灯相比，具有节能、环保、寿命长、体积小等LED主要优势： 电压： LED使用低压电源，供电电压在6-24V之间，根据产品不同而异，所以它是一个比使用高压电源更安全的电源，特别适用于公共场所。效能：消耗能量较同光效的白炽灯减少 80%适用性：很小，每个单元 LED小片是3-5mm的正方形，所以可以制备成各种形状的器件，并且适合于易变的环境稳定性： 10万小时，光衰为初始的50% 响应时间：白炽灯的响应时间为毫秒级， LED灯的响应时间为纳秒级 对环境污染：无有害金属汞 颜色：改变电流可以变色，发光二极管方便地通过化学修饰方法，调整材料的能带结构和带隙，实现红黄绿兰橙多色发光。如小电流时为红色的 LED，随着电流的增加，可以依次变为橙色，黄色，最后为绿色 LED亮度值不高一只高亮度LED5000左右的烛光亮度，所以很多头灯采用了多个LED的方法来提高亮度价格：LED的价格比较昂贵，较之于白炽灯，几只LED的价格就可以与一只白炽灯的价格相当，而通常每组信号灯需由上300?500只二极管构成多LED的方法只能提高亮度，并不能加长光照距离。所以LED的灯，由于光线比较发散，就算采用了很好的聚光调节，其照明距离也不过几十米并不适合野外探洞和恶劣地形下的使用。主要用于近距离的照明，性能还没达到能完全取代白炽灯泡的地步。色彩还原能力差容易造成视觉的误差和判断失误。LED主要劣势 电压小 性能高 适用性强 稳定性高 响应时间短 对环境污染小 颜色多变 寿命长 亮度值不高 价格偏高 光照距离不长 色彩还原能力差 5、LED产品性能指标分析 LED性能与其他传统照明光源的对比，如图表4所示： 图表4：LED性能与传统照明光源的对比