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微型计算机原理与接口技术 第4章 内存储器及接口 4.1 半导体存储器4.1.1 概述 1. 存储器的分类 按存储器采用的元件分为磁芯存储器、半导体存储器、磁泡存储器、磁表面存储器(包括磁带、磁鼓、硬磁盘、软磁盘等)和激光存储器等。 按存储器和中央处理器CPU的关系分为内存储器和外存储器。 CPU能够直接存取且用于暂存正在或将要执行的程序和正在或将要使用的数据的存储器称为内存储器，也称为主存储器。内存储器的存取速度较快，其存储容量随着半导体技术的发展和生产工艺的提高增长很快。例如，8位微型机的内存容量多为几十KB，16位微型机的内存容量多为几MB，32位微型机的内存容量多为几GB。内存储器多用MOS半导体材料作为信息载体。 常用的硬盘、软盘、光盘、磁带等设备以及它们的驱动器一般称为外存储器，也叫外部设备。它们的特点是存储容量大，存储速度比较慢，单位容量的平均价格较低。 半导体存储器按存取信息的功能，分为随机存取存储器(Random Access Memory RAM)和只读存储器(Read Only Memory ROM)。 随机存取存储器又称读/写存储器，一般是指机器运行期间可读也可写的存储器。而只读存储器一般是指机器运行期间只能读出而不能写入信息的存储器。 只读存储器按信息的设置方式可分为掩模式ROM只读存储器(简称ROM)、可编程序只读存储器(Programmable ROM，PROM)和可改写的只读存储器(Erasable Programmable ROM，EPROM)三种。随机存储器按结构和工作原理可分为静态RAM(Static RAM，SRAM)和动态RAM(Dynamic RAM，DRAM)两种。 采用TTL、ECL及I2L工艺的存储器称双极型静态存储器，它们的存取速度最快，和CPU的工作速度基本相匹配。但其功耗大，容量小，价格高。采用各种MOS型工艺制造的存储器有各种ROM、DRAM及SRAM，它们的存取速度较双极型SRAM慢，但功耗小、容量大、价格低，尤以DRAM和各种ROM更为突出。 微型机系统中的存储器按照和CPU的关系为4级： CPU内部的寄存器组 高速缓存 内存储器 外存储器 它们的存取速度及CPU对其访问的频率依次递减，而存储容量却依次递增，如图4.1所示。其中只有内存储器占用CPU可寻址的地址空间。外存储器虽然速度慢，但由于容量巨大，费用低，作为后备存储器，用来存放各种程序和数据。特别是在现代微型机系统中已具有虚拟存储器的管理功能，硬盘的存储空间己作为内存空间的延续，可以使用户在较小的内存上运行很大的程序。 图4.1 微型机系统中存储器的分级组成 2. 内存储器的性能指标 1) 存储容量 存储容量是内存储器的一个重要指标，通常用该内存储器所能寻址的单元个数及每个单元能够存取的二进制数的位数来表示，即 存储容量＝单元个数×位数 如早期的IBM-PC机、PC/XT机的最大内存容量为1MB，即1M×8位，而32位微型机的最大内存容量为4GB，即4G×8位。 2) 最大存取时间 内存储器从接收存储单元的地址开始，到它取出或存入数据为止所需的时间叫做存取时间。通常手册上给出该常数的上限值，称为最大存取时间。 3) 功耗 半导体存储器的功耗指“维持功耗”和“操作功耗”。 4) 可靠性 可靠性一般用平均故障时间（Mean Time Between Failures,MTBF）来表示，MTBF越长，可靠性越高。 5) 集成度 集成度常表示为位/片，目前典型产品的集成度有1兆位/片、16兆位/片、64兆位/片、256兆位/片等。 4.1.2 RAM芯片的结构、工作原理及典型产品 1. 静态RAM(SRAM) 1) SRAM结构与原理 SRAM由存储体和外围电路构成，如图4.2所示。 芯片中一个基本存储电路能存储1位二进制数，而一个8位二进制数需要8个基本存储电路。一个容量为M×N(如64K×8bit)的存储器则包含M×N个基本存储电路。这些大量的基本存储电路有规则地排列在一起便构成了存储体。 图4.2 SRAM的基本结构框图 (1) 地址译码器——对输入的地址信号译码，选择 要访问的单元。 目前所用的存储器中，