电工学2第7章半导体.pptVIP

7.1 半导体的基本知识? 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 半导体的导电性能具有两个显著的特点： （1） 掺杂后，半导体的导电能力将成倍地增加。 （2） 半导体受温度的影响比较大。 导体：容易导电的物质。各种金属 绝缘体：几乎不导电的物质。橡胶、陶瓷、塑料等 半导体：导电性介于导体和绝缘体之间。 本征半导体:纯净的半导体。它在物理结构上呈单晶体 （2）PN结的单向导电性 如果外加电压使PN结中：P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏； P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，简称反偏。 7.1.3 PN结 动画 动画 PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的 正向扩散电流(相当于开关闭合，PN结导通)。 PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。(相当于开关打开，PN结截止)。 结论：PN结具有单向导电性。 可以将PN结看成一个开关： 7.1.3 PN结 （2）PN结的单向导电性 半导体二极管的参数包括最大整流电流IOM、反向击穿电压UBR、反向工作峰值电压URWM、反向电流IRM等。 二极管长期连续工 作时，允许通过二 极管的最大整流 电流的平均值。 二极管反向电流 急剧增加时对应的反向 电压值称为反向击穿 电压UBR。 为安全计，在实际 工作时，最大反向工作电压 URWM一般只按反向击穿电压 UBR的一半计算。 7.2.3 二极管的主要参数 (2) 反向击穿电压UBR——— 反向工作峰值电压UR WM——— (1) 最大整流电流 IOM—— (3) 反向电流IRM (4) 正向压降UF 在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。 在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。硅二极管约为 0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V。 反向电流IRM 愈小,则单向导电性愈好. 硅二极管的反向电流在纳安(nA)级； 锗二极管在微安(?A)级。 练习 P184 - 例7-1 二极管的单向导电性 P198-1(a)优先导通 P198-2 uD O A Simple Application :The Rectifier单相半波整流电路 The Half-Wave Rectifier 2. 工作原理 u 正半周，Va>Vb， 二极管D导通； 3. 工作波形 u 负半周，Va< Vb， 二极管D 截止 。 1. 电路结构 – + + – a Tr D uo u b RL io u ?t O uo O 动画 Another Application : Diode Logic Gates 二极管与门AND Y=AB 二极管或门OR Y=A+B 7.2.4 稳压管 (Zener diode) 稳压管是工作在反向击穿区的特殊硅二极管。稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线完全一样。 3.稳压管与普通二极管的差别： . 二极管工作在正向特性区，而稳压管工 作在反向特性区。 .稳压管反向击穿电压 UBR小，10V左右，二极管 UBR大，≥50V。 例：分析如图电路。 解： Ｕi：＜Ｕz ：稳压管未击穿，Ｕo将随Ｕi的变化而变化 。 Ｕi：＞Ｕz ： 稳压管子击穿 ，Ｕo = Ｕz，Ｕo不随Ｕi 的变化而变化 。 设稳压管的稳压值为Ｕz。 稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。 电阻的作用一是起限流作用，以保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。 注意： 必须合理选择R，使 Izmin ＜ I ＜Izmax 。 1.双极型三极管结构特点（放大的内部条件）: 发射区的掺杂浓度大。 集电区掺杂浓度低，且面积大。 基区很薄，且掺杂浓度低。 三、晶体管的放大原理 2.晶体管放大的外部条件：发射结正偏，集电结反偏. 提问：PNP管的电源极性应如何加？ 4.晶体管的电流放大原理 为使晶体管具有放大作用，电源EB和EC要正确连接，使发射结正偏、集电结反偏。 图7-20 晶体管电流放大实验电路 由实验数据可得出如下结论： ①符合KCL，即IE=IC+IB。 ②IB比IC和IE小得多，电流放大系数β=ΔIC/ΔIB，即基极电流的微小变化可以引起集电极电流的较大变化——电流放大原理。 运用晶体管