铁电存储器的技术背景——通信工程类毕业设计外文翻译、中英文翻译.docVIP

铁电存储器的技术背景 概述 目前的存储器技术可以分为两种。第一种是非易失性存储器。传统上来说，他们被应用于只读存储器因为他们都有不易写入的特点。这些存储器均源于只读存储器(ROM)技术, EPROM, EEPROM, and Flash EPROM。 第二种是易失性存储器。易失性存储器包括SRAM（静态存储器）和DRAMRAM 类型的存储器易于RAM存储器可是它们同样会在掉电的情况下会失去所保存的数据。易于 相对于其它类型的半导体技术而言，铁电存储器具有一些独一无二的特性。传统的主流半导体存储器可以分为两类--易失性和非易失性。易失性存储器包括静态存储器SRAM（static random access memory)和动态存储器DRAM （dynamic random access memory)。 SRAM和DRAM在掉电时均会失去保存的数据。 RAM 类型的存储器易于使用、性能好，可是它们同样会在掉电的情况下会失去所保存的数据。 ROM）技术。 正如你所猜想的一样，被称为只读存储器的东西肯定不容易进行写入操作，而事实上是根本不能写入。所有由ROM技术研发出的存储器则都具有写入信息困难的特点。这些技术包括有EPROM (几乎已经）、EEPROM和Flash。 这些存储器不仅写入速度慢，而且只能有限次的擦写，写入时功耗大。 RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁--一种非易失性的RAM。许多人都误解铁电这个名字, 一个名字使用前缀 ferro 似乎暗示铁或磁性铁或磁性 当一个电场被加到铁电晶体时，中心原子顺着电场的方向在晶体里移动。 当原子移动时，它通过一个能量壁垒，从而引起电荷击穿。内部电路感应到电荷击穿并设置存储器。移去电场后，中心原子保持不动，存储器的状态也得以保存。铁电存储器不需要定时更新，掉电后数据能够继续保存，速度快而且不容易写坏。 铁电存储器技术和标准的CMOS制造工艺相兼容。铁电薄膜被放置于CMOS基层之上，并置于两电极之间，使用金属互连并钝化后完成铁电制造过程。 Ramtron的铁电存储器技术到现在已经相当的成熟。最初的铁电存储器采用两晶体管/两电容器（2T/2C）的结构，导致元件体积相对过大。最近随着铁电材料和制造工艺的发展，在铁电存储器的每一单元内都不再需要配置标准电容器。Ramtron新的单晶体管/单电容器结构可以像DRAM一样，使用单电容器为存储器阵列的每一列提供参考。与现有的2T/2C结构相比，它有效的把内存单元所需要的面积减少一半。新的设计极大的提高了铁电存储器的效率，降低了铁电存储器产品的生产成本。Ramtron同样也通过转向更小的技术节点来提高铁电存储器各单元的成本效率。最近采用的0.35微米的制造工艺相对于前一代0.5微米的制造工艺，极大的降低了芯片的功耗，提高了单个晶元的利用率所有这些令人振奋的发展都使得铁电存储器在人们日常生活的各个领域被广泛应用。从办公室复印机、高档服务器到汽车安全气囊和娱乐设施，铁电存储器不断改进性能在世界范围内得到广泛的应用。 铁电存储器的操作 一个简单的铁电晶体模型如图1铁电存储器晶体的中心原子结构所示。在铁电晶体中心有一个活动原子。在电场的作用下，晶阵中的中心原子会沿着电场方向运动，元提高了数据的可信度，特别是对于早期的非易失性存储器是非常重要的。2T2C存储单元结构如图2所示。 图2 2T2C存储单元结构 2T2C存储单元为每个数据位提供了一个相近的参考位，依照数据状态进行编程，读操作时一个电容会发生改变，而其它不发生变化，在设计存储器时选择“0”或“1”任意状态。涉及到相应的存储器时，存储电路能非常精确地测量那个和非变电容器之间2001年“单管单容”（1T1C）技术被投放市场，它使得铁电存储器产品的价格被提高。简化的1T1C存储单元结构框图如图3所示。 图3 1T1C存储单元结构框图 FRAM 的发展 正如前文所提到的，自从 1993年起基于铁电存储器FRAM产品已经被广泛的应用于商业生产。在工业生产中，铁电技术已经趋于成熟。一些现象已经预示着下一种主流存储技术的出现。 一方面，很多的半导体供应商正在发展铁电。一些人关注近期产品的发展，而另一些人则关注已成熟的存储器和产品的发展。 另一方面，目前生产的低密度的铁电存储器的产品有广泛的市场。一些用户已经注意到铁电存储器的发展，铁电存储器的密度和结构，以便于对铁电产品的应用。每个新的密度的一代使得产生一系列的用户和厂家。 直到目前为止，Ramtron 公司是唯一的一家生产 FRAM 产品公司。由于公司的许可和授权，一些新的厂商也制造产品。在全球的范围内，FRAM发展适用于 FRAM 发展的总资源正