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1. 自给偏压共源组态放大电路Q点计算 * * E4a0231 场效应管放大电路Q点的 设置方法和估算方法 E4a02312 场效应管自给偏压电路 自给偏压共源组态场效应管放大电路如图02.03.02所示。建立正确的偏压就是建立正确的静态工作点,图示电路中的场效应管应该采用N沟道耗尽型MOSFET。因为栅流等于0,所以UG=0V、US=IDR, UGSQ= -IDQR 。 根据场效应管的转移特性曲线,静态工作点Q应位于第二象限。漏极电流 图02.03.02 自给偏压共源放大电路 管压降 UDSQ= VDD-IDQ(Rd+R) 如果放大电路采用增强型场效应管,则漏极电流 式中IDO是uGS=2UGS(th) 时所对应的iD。 2. 自给偏压共源组态放大电路图解分析 对图02.03.02的放大电路可根据下列方程式进行图解 Q UGSQ IDQ 图02.03.03 在输入特性曲线上图解 直线方程 uGS =- iDR与输入特性曲线的交点即是工作点Q。 由工作点Q,即可确定UGSQ 和IDQ。 在输出特性曲线上进行图解,取场效应晶体管的输出特性曲线;列出放大电路直流通路输出回路的负载方程式 ICQ VCC 由输入特性图解得到的UGSQ UCEQ 做直流负载线; 由工作点Q即可得到 Q 图02.03.04 在输出特性曲线上图解 3. 场效应管放大电路偏置设置规律 场效应管放大电路要处于放大状态,必须有合适的偏置电压。由于场效应管有结型和绝缘栅型二大类,其中又分有增强型和耗尽型,N沟道和P沟道等类型,而结型场效应管只有耗尽型。对于建立放大状态偏压而言,只与沟道类型、增强型还是耗尽型有关。场效应管放大电路的偏置有分压偏置和自给偏压。图02.03.05是分压偏置,增强型和耗尽型管均可采用;自给偏压见图02.03.06,它只能采用耗尽型场效应管。 图02.03.05 分压偏置 图02.03.06 自给偏压
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