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IC设计技术.ppt
IC设计技术 实训内容(1) 用S-EDIT设计一个单管NMOS传输门,其NMOS管的尺寸为 (W/L)n=22u/2u 用T-SPICE进行单管NMOS传输门的直流传输特性仿真,观察曲线与CMOS传输门传输特性曲线的不同 实训内容(2) 用S-EDIT设计一个单管PMOS传输门,其PMOS管的尺寸为 (W/L)p=44u/2u 用T-SPICE进行单管PMOS传输门的直流传输特性仿真,观察曲线与CMOS传输门传输特性曲线的不同 思考题: 1、单管PMOS开关直流传输特性曲线与CMOS有何不同? 2、单管NMOS开关直流传输特性曲线与CMOS有何不同? 3、单管NMOS开关是如何传输高、低电平的? 4、单管PMOS开关是如何传输高、低电平的? 5、单管NMOS开关传输高、低电平时,有电压损失吗?如果没有,原因是什么?如果有,原因又是什么? 思考题: 6、单管PMOS开关传输高、低电平时,有电压损失吗?如果没有,原因是什么?如果有,原因又是什么? 7、CMOS传输门正常工作时,PMOS管栅极电平和NMOS管栅极电平有何要求? 8、CMOS传输门是如何传输高、低电平的?其在传输高、低电平时,有电压损失吗?如果有,原因是什么?如果没有,原因是什么? 9、CMOS传输门与单管(P或N管)传输门有何区别(包括结构上和性能上)? * 集成电路设计技术 * 电子工程系微电子技术专业 赵杰 2007.9 数字集成电路 设计基础 4.1 MOS开关及CMOS传输门 单管NMOS开关 单管PMOS开关 Vi/(VGN-VTN) VO/(VGN-VTN) 1 1 0 VO/|VTP| 1 1 0 Vi/|VTP| 第4章 数字集成电路 设计基础 4.1 MOS开关及CMOS传输门 CMOS传输门 Vdd=5V Vgn=5V Vgp=0V Vthn=|Vthp|=0.9V N通 双管通 P通 0 1 2 3 4 5 5 4 3 2 1 VO Vi
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