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3.5 双极晶体管的反向特性 3.5.1 反向截止电流 各种反向截止电流的小结 (1) IES ：VBE 0 、VBC = 0 时的 IE ，即单个发射结的反向饱和电流。 VBE IES E B C N+ P N (3) ICBO ：VBC 0 、IE = 0 时的 IC ， 在共基极电路放大区中， VBC ICBO E B C N+ P N (2) ICS ：VBC 0 、VBE = 0 时的 IC ，即单个集电结的反向饱和电流。 VBC ICS E B C N+ P N (5) IEBO ：VBE 0 、IC = 0 时的 IE ， VBE IEBO E B C N+ P N (4) ICEO ：VBC 0 、IB = 0 时的 IC ， 在共发射极电路放大区中， VCE ICEO E B C N+ P N 3.5.2 共基极接法中的雪崩击穿电压 已知 PN 结的雪崩倍增因子 M 可以表示为 在工程实际中常用下面的经验公式来表示当已知击穿电压时 M 与外加电压之间的关系： 当 |V | = 0 时，M = 1； 当 |V | → VB 时，M → ∞ 。 对于硅 PN 结， S = 2 ( PN+ ) S = 4 ( P+N ) 对于晶体管，在共基极接法的放大区， ， 当发生雪崩倍增效应时，IC 成为 式中， ， ，分别代表计入雪崩倍增 效应后的放大系数与反向截止电流。 定义：发射极开路时，使 I’CBO →∞ 时的 |VBC | 称为 共基极集电结雪崩击穿电压 ，记为 BVCBO 。 显然，当 |VBC | → VB 时，M → ∞ , I’CBO → ∞ ，所以BVCBO = VB 。 雪崩击穿对共基极输出特性曲线的影响 3.5.3 共发射极接法中的雪崩击穿电压 在共发射极接法的放大区中， 当发生雪崩倍增效应时，IC 成为 式中， 分别代表计入雪崩倍增效应后的共发射极放大系数与穿透电流。 可见雪崩倍增对 与 ICEO 的影响要比对 与 ICBO 的影响大得多。或者说，雪崩倍增对共发射极接法的影响要比对共基极接法的影响大得多。 定义：基极开路时，使 I’CEO → ∞ 时的 VCE 称为 集电极-发射极击穿电压，记为 BVCEO 。 BVCEO 与 BVCBO 的关系 当 时，即 时， ，将此关系 即： 代入 M 中，得： ICEO ~ VCE 曲线中有时会出现一段 负阻区。图中，VSUS 称为维持电压。 ICEO BVCEO VCE VSUS IC 0 负阻区 雪崩击穿对共发射极输出特性曲线的影响 3.5.5 发射结击穿电压 集电极开路（IC = 0），发射极与基极之间加反向电压时的 IE 记为 IEBO ， 使 IEBO → ∞ 时的发射极与基极间反向电压记为BVEBO 。 在一般晶体管中，NE NB NC ， 故 BVCBO 取决于 NC ， BVEBO 取决于 NB ，且 BVCBO BVEBO 。 3.5.6 基区穿通效应 WB N+ N P 0 集电结上的反向电压增大到其势垒区将基区全部占据时 ， WB’ = 0，这种现象称为 基区穿通，相应的集电结反向电压称为 基区穿通电压 ，记为 Vpt 。 基区穿通时，进入基区中的势垒区宽度与基区宽度相等。对于突变结， 防止基区穿通的措施 ：增大 WB 与 NB 。这与防止厄尔利效应的措施一致，但与提高放大系数 与 的要求相矛盾。 在平面晶体管中，NB NC ，势垒区主要向集电区扩展，一般不易发生基区穿通。但可能由于材料的缺陷或工艺的不当而发生局部穿通。 VCE VSUS IC 0 Vpt 基区局部穿通