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作业 二. 电流分配和放大原理 B E C N N P EB RB Ec 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 IE 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 IBE 1 进入P区的电子小部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 B E C N N P EB RB Ec IE 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 ICBO 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 IC=ICE+ICBO?ICE IBE 2 ICE IB=IBE-ICBO?IBE IB 3 B E C N N P EB RB Ec IE ICBO ICE IC=ICE+ICBO ?ICE IBE 4 ICE与IBE之比称为电流放大倍数 要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。 B E C IB IE IC NPN型 B E C IB IE IC PNP型 B E C B E C P N N P P N 三. 特性曲线 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 实验线路 （1）输入特性 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V 死区电压，硅管0.5V，锗管0.1V。 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 （2）输出特性