AKT SPUTTER SIO2镀膜特性简介.ppt

AKT SPUTTER SIO2 鍍膜介紹 前言 二氧化矽(Silicon dioxide, Silicon oxide, Silica, SiO2)薄膜已經是一種 普遍應用於各個領域的重要膜層，例如在半導體技術方面，SiO2 薄 膜是最常用來當作絕緣層的一種材料；在鍍膜工業中，SiO2 薄膜也 常用來當作金屬或其他材料的表面抗刮與保護層；在光學薄膜濾光 片領域中，SiO2 薄膜是很好的一種單層抗反射膜，更是最常用的一 種『低折射率』膜層，用來製鍍多層光學薄膜濾光片。而本次的專 題報告將針對現行FAB2 AKT SPUTTER SiO2鍍膜的特性做介紹， 希望透過本次的專題，可以使各位同仁對SiO2鍍膜有初步的認知。 豆知識： 矽（中國大陸稱作硅，港澳台稱作矽）。 POWER： 一般業界濺鍍SiO2，Power多數是使用RF 居多(Radio-Frequency)[高頻]而 AKT 使用的Power稱為MF ( Medium-Frequency )[中頻] 而RF 與 MF 和 DC之間的差異性，詳下表： Power Type 工作頻率 優點 缺點 DC (直流電) 無 便宜 鍍率較優 只可用於 導電性佳靶材 RF (交流電) 13.56MHz 成膜均勻、緻密度高 可用於金屬非金屬靶材 鍍率差 MF (交流電) 20KHz – 70KHz 鍍率好 可利用於金屬和 導電性差的靶材上 考量鍍率， 使用的領域受到限制 基本硬體 介紹 TARGET： 使用圓柱靶，而圓柱靶與平面靶詳下表 Target 優點 缺點 平面靶 價格便宜 靶材利用率低(三~四成) 冷卻效果差 圓柱靶 靶材高(七~八成) 冷卻效果較佳 價格昂貴 控制方式分以下三種進行鍍膜： O2-control (定氧氣流量控制) 3 U-control (定電壓控制) 2 P-control (定功率控制) 1 MF Generator 介紹 1. P-control (定功率控制)： 參數設定後，Generator輸出固定功率，隨著反應氣體的變化會改變其 電壓電流值(類似現行Cr Sputter DC Power)。此控制方式在本Case裡 是用於抓SiO2『特性條件』與PM或因機況開過Chamber Presput時才 會用到. ● 優 點：膜厚較均勻. ● 缺 點：n值(折射率)控制較不靈敏，不易調控膜層光學特性 三種控制方式均有其使用的時機與優缺點，以下一一介紹 DESIGNATION VALUE Output power（输出功率） 50 kW Output frequency（输出频率） 20 kHz - 70 kHz Output voltage（输出电压） 500V - 1050 V Output current max（最大输出电流）. 200 A MF Generator 基本規格： 2. U-control (定電壓控制)： 參數設定後，Generator輸出固定電壓值，隨著反應氣體的變化會改變輸 出功率。此控制方式在本Case裡是用於生產時使用. ● 優 點：可藉由調整輸出之電壓調整n值，同時又可藉由改變 O2 Flow 調變輸出功率調整膜厚，其最大優勢為不需依賴任何信號接獲 及回饋機制，由使用者直接控制，無delay time，無複雜的幕 後運作.對生產型設備而言，由於其高穩定度可減少照顧人力. ● 缺 點：膜厚U%較差。 3. O2-control (定氧氣流量控制) ： 利用一 O2偵測器探測O2 Flow並回饋訊號給Generator， Generator藉此改變 Power以維持訊號穩定，因此其電壓電流及輸出功率均會改變 ● 優 點：理論狀態下，可將產品特性U%控制最一穩態，且特性最佳. ● 缺 點：須透過一特殊模組進行信號接收及處理，增加反應時間以致經常 .無法真實反應腔內實際情況，造成製程不易穩定 MF Generator 介紹 SiO2特性~遲滯曲線的製作： P-control 模式下，設定功率10 KW O2 Flow由0慢慢提升，記錄其電壓值，直到呈現飽和狀即可，可繪出下圖 SiO2鍍膜特性條件 — 遲滯曲線製作 再將O2 Flow慢慢下降至0，記錄其電壓值，直到呈現飽和狀，可繪出下圖 SiO2鍍膜特性條件 — 遲滯曲線 名稱 特性 Metal Mode 鍍膜效率高，Film參雜較多Si成分 Si wafer 的n值約為4 Transform Mode (生產條件) 鍍膜效率中等，可調整至預期的n值與 光學特。(