自旋转矩纳米振荡器的研究进展.doc

  自旋转矩纳米振荡器的研究进展# 钟智勇，王棋，金立川，唐晓莉，白飞明，张怀武* （电子科技大学电子薄膜与器件国家重点实验室，成都 610054） 5 10 15 20 25 30 35 40 摘要：自旋转矩纳米振荡器（spin torque nano-oscillator, STNO）是利用自旋极化电流引起多 层磁性纳米结构中的自由磁性层的磁矩进动，并结合磁电阻效应而得到微波输出的一种新型 微波振荡器，它具有体积小，振荡频率可电流调控，品质因素高和低功耗等优点。本文介绍 了 STNO 的工作原理，综述了 STNO 的国内外研究现状和发展趋势，并展望其应用前景。 关键词：自旋电子学；自旋转矩纳米振荡器；磁电阻效应；自旋转矩效应 中图分类号：N0 O56 Recent research of spin torque nano-oscillator Zhong Zhiyong, Wang Qi, Jin Lichuan, Tang Xiaoli, Bai Feiming, Zhang Huaiwu (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054) Abstract: Spin torque nano-oscillator (STNO), which produces it microwave output signal by combining the magnetoresistance effect and precession of magnetic moment in free magnetic layer induced by spin polarized current in multilayered magnetic nanostructures, is a promising candidate for future RF transceivers due to its smaller footprint, oscillation frequency tuned by current and high quality. The review paper introduces the working principle of STNO, the present research status and development trends. The future prospects of its application are also pictured in this paper. Key words: spintronics; spin torque nano-oscillator; magnetoresistance effects; spin transfer torque effects 0 引言 传统电子学中只利用了电子的荷电特性，由电场来控制电子的输运过程，而对电子的自 旋状态是不予考虑的。随着微电子技术的发展，器件向亚微米/纳米级发展，使利用电子的 自旋特性来拓展器件的新功能成为可能，由此诞生了一门新的学科 ——自旋电子学 （spintronics），也称磁电子学(magnetoelectronics)，它是一门磁学与微电子学交叉的学科。 巨磁阻（giant magnetoresistance，GMR）效应的发现被认为是自旋电子学发展的重要里 程碑。所谓 GMR 效应是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨 大变化的现象，它从物理发现、到材料制备、直至最后 GMR 磁读出头器件商品产业化仅用 了 10 年左右时间。为此，法国科学家阿尔贝·费尔和德国科学家彼得·格林贝格尔因分别独立 发现 GMR 效应而共同获得 2007 年诺贝尔物理学奖。 简单地说 GMR 效应就是磁性薄膜系统中的磁化状态改变影响了电流的变化，那它有逆 效应吗？即能否通过电流来改变磁性材料的磁化状态。1996 年 IBM 公司的 Slonczewski[1] 和 Carnegie-Mellon 大学的 Berger[2]理论研究表明自旋极化电流通过纳米尺度的铁磁薄膜或 金属磁性多层膜中时，极化电流与多层膜中的散射会带来由极化电子到铁磁薄膜磁矩的自旋 基金项目：国家自然科学基金和;教育部博士点基金（20100185110024） 作者简介：钟智勇,(1970),男,教授,主要研究方向磁性材料和器件. E-mai