功率MOSFET的特性.pdfVIP

MOS-TECH Semiconductor Co.,LTD 功率MOS FET 功率MOS FET 的特性 1. 绝对最大额定值及电特性 1.1 绝对最大额定值 将绝对最大额定值项目的耐压VDSS 、漏极电流ID 和沟道损耗容限Pch ，分别规定为独立的项目。此外，还 表示上述项目在任何使用条件下都不能超过额定值。绝对最大额定值的项目与其他特性之间大多存在着密切的 联系，因此必须注意不要使各个项目同时达到最大额定值。 1 漏极/ 源极耐压　VDSS 该项表示在栅极/ 源极之间短路时可外加到漏极/ 源极之间的最大电压。VDSS 因温度的变化而产生波 动。当如图1所示的结温Tj 上升到100°C 时，V BR DSS 增加约10%。必须注意当Tj 下降时，V BR DSS 也 会以相同的比率下降。 1.20 1.15 1.10 1.05 1.00 S S 0.95 D R B I 10mA 0.90 D V VGS 0 0.85 0.80 –50 –25 0 25 50 75 100 125 150 T °C j 图1 相对于结温的V BR DSS 变化率 2 栅极/ 源极耐压　VGSS 当漏极/ 源极之间短路时，对在栅极/ 源极之间插入保护二极管的器件进行测量，而对于没有保护二极 管的器件无法进行测量。 3 漏极电流ID 、漏极峰值电流　ID peak 或者ID pulse 在沟道损耗容限内，可在漏极连续通入的直流电流最大值用ID 表示，在平均电流不超过ID 的范围内， 可通入的交流漏极电流的峰值用ID peak 或者ID pulse 表示。 一般情况下工作时的ID 空许值，可根据以下公式进行计算： Tch max. ? Tc I A Dmax. ···············································① ch c R θ ? ? max. DS on 同样，ID peak 的容许值也可根据以下公式进行计算： Tch max. ? Tc ID peak max. A