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第 27 卷 　第 7 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 27 　No . 7 2006 年 7 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS J uly ,2006 光伏型硅 X 射线探测器 张治国 (泉州师范学院物理系 , 泉州 　362000) 摘要 : 介绍了垂直多结器件的结构 ,给出了热迁移制结的工艺条件和结果 ,特别介绍了处理器件电极引线的隔离 线方法 ,解决了经过热迁移掺杂后光刻电极套不准的难题 , 以及把所有 p 型区域连接起来的问题 ,达到了敏感区金 属零遮挡的目的. 同时分析了工艺条件对器件性能的影响. 通过对敏感区和无效区的计算和对比,对器件的几个电 流参数进行了详细的计算 ;对两种靶材的标识谱在器件 内产生的光电子的收集效率做了计算 ,对器件的光谱响应 度也作了计算和分析 ; 同时对器件窗口材料的选择进行了详细讨论 ;最后叙述对器件进行的实验验证 ,通过对金属 模板上模拟缺陷的测量 ,证明器件有足够的灵敏度和分辨率. 关键词 : 探测器 ; 垂直多结 ; X 射线 PACC : 7820J ; 7870D 中图分类号 : TN 364 + 1 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2006) 须选用昂贵的高阻单晶, 而且还要加上一个反偏电 1 　引言 源以取得足够厚的敏感区. 垂直多重结结构具有天 目前 , 对大型金属拼焊件焊缝的质量检查 , 仍旧 ( ) [ 6～9 ] 生的灵敏区厚度 硅片厚度 . 热迁移掺杂工艺 延用费用较低的拍片法 、超声法等方法. 虽有高技术 就可以方便地实现垂直多重结的制作. 目前我们的 设备投入使用 ,但是价格昂贵 ,对于大规模工业生产 热迁移掺杂工艺水平可以达到 1～3m m/ h 的制结 的产品如煤气管道 、天然气管道等在线检验 、拍片更 速度. 针对器件的特点, 选用电阻率为 60Ω ·cm , 晶 是困难的事. 有鉴于此 , 为了实现 自动化生产 , 国外 向为〈111〉,厚度为 1mm 的 n 型硅单晶片 ,之后利 早已出现了探头检测式 自动化装置 , 这种装置价格 μ 用光刻 工 艺在 硅 片表 面 制 成 深 40 ～ 50 m , 宽 低廉 , 实用性强 , 故得到人们的普遍重视. 目前国内 μ μ 140 m 的沟槽阵列 , 间隔 300 m ; 在刻好沟槽的表 生产的可用于 X 射线方面的探头大致有以下几种 : μ 面蒸发一层 20 m 厚的 Al ,再去掉沟槽外边的 Al , 硅锂探头 、锗锂探头 、p i n 型探头 、金硅面垒型探头. 只留下沟槽内的 Al . 最后将其放入 自己研制的真空 但是这几种探头都要求有一个稳定的高压电源 , 其