CMOS课件 ,南通大学.ppt

第二章 MOS器件物理基础 1．了解无源元件的基本原理。 2．了解有源元件的基本原理。 3．了解基本MOS器件模型。 主要内容 了解MOS器件物理基础概念 掌握MOS的I/V特性 掌握二级效应基本概念 了解MOS器件模型 什么是无源器件和有源器件？ 无源器件passive devices：如果电子元器件工作时，其内部没有任何形式的电源，则这种器件叫做无源器件。 有源器件active devices ：如果电子元器件工作时，其内部有电源存在，则这种器件叫做有源器件。 分类 电感 1.MOSFET的基本结构 2.MOSFET的结构 MOSFET的结构 MOS管正常工作的基本条件 同一衬底上的NMOS和PMOS器件 例：判断制造下列电路的衬底类型 1.MOSFET的基本结构 2.MOS的阈值电压 NMOS器件的阈值电压VTH NMOS管VGSVT、VDS=0时的示意图 NMOS管VGSVT、 0VDS VGS-VT时的示意图 NMOS沟道电势示意图(0VDS VGS-VT ) 2.MOS的阈值电压 3. 了解I/V特性 I/V特性的推导（1） I/V特性的推导（2） 三极管区的MOSFET（0 VDS VGS－VT） I/V特性的推导（3） 饱和区的MOSFET（VDS ≥ VGS－VT） NMOS管的电流公式 MOS管饱和的判断条件 MOS模拟开关 4.二级效应