低速p／i界面缓冲层对高速沉积微晶硅太阳电池性能的影响.pdfVIP

第57卷第8期2008年8月 物 理 学 报 V01．57，No．8，August，2008 ACTAPHYSICASINICA 1000—3290／2008157(08)15284-06 @2008Chin．Phys．Soc． 低速p／i界面缓冲层对高速沉积微晶硅 太阳电池性能的影响* 韩晓艳 侯国付 李贵君 张晓丹 袁育杰 张德坤 陈新亮 ． 魏长春 孙 健 耿新华 (南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室． 光电信息技术科学教育部重点实验室。天津300071) (2007年li月6日收到；2008年3月5日收到修改稿) 在采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF．PECVD)技术高速沉积微晶硅(∽．si：H)太阳电 池过程中，产生的高能离子对薄膜表面的轰击作用会降低薄膜质量和破坏P型掺杂层(P层)与本征层(i层)之间的 界面特性．针对该问题提出在电池中引入低速沉积的p，i界面层的方法，即在P层上先低速沉积一薄层本征弘c．Si：H 薄膜，然后再高速沉积本征pc．si：H薄膜．实验结果表明。引入低速方法沉积的界面层有效地提高了p，i界面特性和 i层微结构的纵向均匀性，而随界面层厚度的增加，i层中的缺陷态先降低后增加，这使得界面层厚度存在着最佳 值，实验得到低速沉积界面层的最佳厚度为100nm，用该厚度制备得到的电池比没有界面层的电池光电转换效率 提高了约一个百分点．通过优化其他条件，采用0．85nm／s的沉积速率制备得到单结肚c—si：H太阳电池的光电转换 效率可以达到8．1l％． 关键词：弘c．Si：H太阳电池，甚高频等离子体增强化学气相沉积，p，i界面层 PACC：8115H，8630J，7360F 提出，在p／i界面引入被认为没有离子轰击作用的 1．引 言 热丝化学气相沉积技术(HW．CVD)沉积的界面层可 以改善p／i界面特性．但这又要引入另一种沉积技 术HW．CVD，为工业化生产带来不便． 微晶硅(”c—si：H)薄膜太阳电池因其具有高转 J． 考虑到与高速沉积相比，低速沉积对薄膜表面 换效率和高稳定性而备受光伏产业界的青睐¨_3 由于∽．Si：H是一种间接带隙半导体材料，为了充 的轰击作用较小，本文提出了工艺兼容的双层技术， 分吸收太阳光就需要薄膜厚度大于1m．因此，提 即在高速沉积本征c．Si：H薄膜之前先低速沉积一 高生长速率对于c—Si：H薄膜太阳电池生产成本的薄层本征∽．si：H薄膜的方法． 降低是至关重要的¨_61．很多研究结果表明，甚高频 等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)结合高 2．实 验 压是高速生长”c-si：H薄膜的有效方法∽’80，而高的 压力下需要高功率分解气体来提高生长速率，产生 本文所有样品都是在本研究所自组装的多功能 的高能离子对薄膜表面的轰击会形成缺陷并抑制晶 沉积系统中制备．选用Eagle2000玻璃为材料的衬 化生长旧1，特别是在对电池性能起关键作用的P型 底，SnO，／ZnO复合膜和湿法腐蚀的ZnO为电池的衬 底．电池的结构为玻璃／透明导电薄膜／p一,ttc．si：H／i． 掺杂层(P层)与本征层(i层)之间的界面，因为离子 轰击而具有较高缺陷态密度破坏了p，i界面特性， ∽．Si：H／n．a-Si：H／背反射电极．实验中材料的厚度约 并且抑制材料晶化使本征“c．si：H薄膜具有较