HID灯镇流器中UniFET+Ⅱ+MOSFET的性能和效率.pdfVIP

技 术 专 题 g F 蛸 g HID灯镇流器中UniFET IIMOSFET的性 能和效率 PerformanceandEffectivenessofUniFETT^^IIMOSFETinHIDLampBallast IJae—EulYeon’Won-HwaLee’Kyu-MinCho Hee-JunKim。 1．韩国富川市飞兆半导体韩国分公司HVPCIA~BI3$J费电子电源系统团队；2．韩国富川市柳韩大学信息与通信工程系 3．韩国安山市汉阳大学电子与计算机工程学院 以进行深入寿命控制。而另一方面， 摘要：先进的单元结构和寿命控制技术已同时增强了功率MOSFET的导通 制造平面MOSFET只需采用一个外延 电阻和反向恢复性能。 本文介绍一种新开发的平面MosFET—uniFETTM 层即可 ，从而很容易进行深入寿命控 IIMosFET一具有显著提高的体二极管特性 ，另外还介绍了其性能和效 制。因此 ，可大幅提升平面MOSFET 率。根据寿命控制的集中程度，UniFETIIMOSFET可分为普通FET、 的体二极管反向恢复性能 ，以防出现 FRFET和UltraFRFETMOSFET，其反向恢复时间分别为传统MOSFET MOSFET故障 j。 的70％、25％和15％左右。为了验证全新MOSFET的性能和效率，用带混 据报道 ，在先前的操作 。中 ， 频逆变器的150W HID灯镇流器进行了实验。结果证明，两个UniFETII MOSFET故障是 由双极结型晶体管 MOSFET可取代两个传统MOSFE和四个附加FRD，并且无MOSFET故 (BJT)和nMOS的误导通 以及反向恢 障。 复模式下体二极管的dv／dt较高所造 关键词：UniFETII；FRFET；UltraFRFET；MOSFET故障；混频逆变器 成的。 这三种类型的MOSFET故障 和HID镇流器 机理可以通过快速体二极管性能得 DoI：10．39694．issn．1005．5517．2013．2．002 ／ 到改善 。 在反 向恢复模式下 ．体二 引盲 的体二极管反向恢复性能要比平面 极管性能越快 ，则复位 电流越小 。 尽管反 向恢 复特性差 ，但在许 MOSFET [6]的高。但是 ，超级结 MOSFET故障中位移 电流的效应在 多开关应用中，功率金属氧化物半导 MOSFET需要更为复杂且昂贵的外延 叫中已进行了充分研究。通常情况 体场效应晶体管(MOSFET)的体二极 工艺 ，而且其体二极管性能的提升存 下 ，MOSFET的反向恢复特性比快速 管作 为一种续流二极管得到广泛使 在局限