45nm 工艺与核心技术.pdfVIP

纳米器件与技术 Nano6let‘ronicDeviceTechnology 45nm工艺与关键技术 翁寿松 (无锡市罗特电子有限公司，江苏无锡 214001) 摘要:介绍了45勺Inl芯片所采用的关健工艺技术:193nln 户比F干法/浸没式光刻技术、低拒电介 质技术、高掩电介质技术和应变硅技术等。英特尔45nm 全功能153MBSRAM芯片与65nm 芯片相比，晶体管密度提高了2倍，晶体管开关速度提高20%以上.晶体管漏电流降低到65nm 芯片的1/5，存储单元面积为。乃46林耐。指出英特尔45nm 芯片MpU将在2007年下半年实现 量产，并且继英特尔之后，Tl、IBM、特许、英飞凌、三星、台积电和台联电等均已推出了45nm 芯片，说明45二 芯片技术正在日益走向成熟。 关键词:45nm 工艺;193nln ArF光刻技术;低儿电介质技术;高距电介质技术;应变硅技术