不同表面修饰制备高性能柔性薄膜晶体管.pdfVIP

第34卷第10期 发 光 学 报 V01．34No．10 2013年10月 CHINESE OFLUMINESCENCE0ct．．2013 JOURNAL 文章编号：1000-7032(2013)10．1392-08 不同表面修饰制备高性能柔性薄膜晶体管 林广庆1’3，李 鹏1’2，熊贤风1’3，吕国强1，王晓鸿1’孙，邱龙臻H (1．特种显示技术教育部重点实验室，特种显示技术国家工程实验室，现代显示技术省部共建国家重点实验室培育基地， 合肥工业大学光电技术研究院，安徽合肥230009； 2．合肥工业大学化工学院，安徽合肥230009；3．合肥工业大学仪器科学与光电工程学院，安徽合肥230009) (PVP)绝缘层制备了底接触的有机薄膜晶体管并研究了其半导体层的表面形貌和器件的电学性能。原子力 显微镜观察发现，并五苯半导体薄膜在不同的界面修饰上的生长形貌产生了很大变化。在PVP上沉积的并 五苯晶粒尺寸都小于150nm，经过聚苯乙烯／氯硅烷复合材料和HMDS处理后的PVP表面生长的并五苯晶粒 尺寸则分别在200。400nm和400～600nm。大尺寸的晶粒能够减小器件沟道内的陷阱浓度，从而有效地提 高电学性能。PVP绝缘层采用聚苯乙烯／氯硅烷和HMDS修饰后．与未修饰的器件相比迁移率分别提高了58 倍和82倍。采用HMDS作为表面修饰层制备柔性OTFT，并五苯场效应晶体管的关态电流约为10。9A，电流 cm2·V～·S～． 的开关比超过104，最大场效应迁移率约可达0．338 关键词：并五苯；聚乙烯基苯酚(PVP)；聚苯乙烯(PS)；偏压应力；柔性有机薄膜晶体管 中图分类号：TN321+．5文献标识码：A DOI：10．3788／fgx1392 of Flexible Thin·film PreparationHigh-performanceOrganic TransistorDifferentDielectricSurfaceModification Through LIN Xian—fen91…， Guang—qin91”，LIPen91”，XIONG LYU Guo—qian91，WANGXiao—hon91’¨，QIULong—zhenl+ ofEducation，NationalEngineeringLaboratoryofSpecialDisplayTechnology， (1．KeyLaboratoryofSpecialDisplayTechnology，Ministry National Key ofAdvancedDisplayTechnology，AcademyofOpto—ElectronicTechnology， Laboratory HefeiUniversityofTechnology，nefei230009，China； UniversityofTechnology，Hefei230009，China； 2．DepartmentofChemicalEngineeringofHefei