AgOx界面插入层对GZO电极LED器件性能的影响.pdfVIP

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2017-09-14 发布于湖北
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AgOx界面插入层对GZO电极LED器件性能的影响.pdf

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第33卷第10期发光学报 V01．33No．10 2012年10月 CHINESE OFLUMINESCENCE0ct JOURNAL ，2012 127-05 文章编号：1000-7032(2012)10．1 Agq界面插入层对GZO电极LED器件性能的影响顾文1’2，石继锋2，李喜峰2，张建华1乃 (1．上海大学机电工程与自动化学院，上海200072： 2．上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室，上海200072) 摘要：采用磁控溅射的方法在p-GaN上制备了GZO透明导电薄膜，通过在p．GaN和GZO界面之间插入 Ago，薄层来改善LED器件的接触性能。研究结果表明：氮气退火后，采用界面插入层的Aso，／GZO薄膜电阻率为5．8×10“Q·cm，在可见光的透过率超过80％。Ago。界面插入层有效地降低了GZO与p．GaN之间的接触势垒，表现出良好的欧姆接触特性，同时使LED器件的光电性能获得了显著的提高。在50mA的注入 V降至6．92V，而发电流下，相比于常规的GZO电极LED器件，AgO。／GZO电极LED器件的正向电压由9．68 光强度提高了13．5％。关键词：LED；界面插入层；GZO电极；欧姆接触中图分类号：TN301 文献标识码：A DOI：10．3788／fgx1127 Effectof Insertionon AgO工InterfaceLayer The of PerformanceLEDs研th ZnOElectrode Ga-doped GU Jian—hual·2’ Wenl·2，SHIJi．fen92，LIXi．fen92，ZHANG Mechatronics and (1．Schoolof EngtrveeringAutomation，Shanghai 200072，China； University，Shanghai and 2．KeyLaboratoryofAdvancedDisplaySystemApplicationsofMinistryofEducation，ShanghaiUniversity，Shanghai200072，China) }CorrespondingAuthor，E—mail：jhzhang@shu．edu．cn Abstract：GZOconductivewere on surface transparent layers depositedp-GaN bymagnetronsputte- LED filmswereinsertedbetweenandGZOto the of de— ring．AgO，thin p-GaN improveperformance vices．The thinfilmexhibited lo