Cu掺杂ZnO纳米材料的制备及表征.pdfVIP

第34卷第2期 发 光 学 报 V01．34No．2 2013年2月 CHINESE Feb．．2013 JOURNALOFLUMINESCENCE 文章编号：1000-7032(2013)02-0139旬5 Cu掺杂Zno纳米材料的制备及表征 兰飞飞，王金忠4，王敦博，黎 倩， 颜 源，于清江，高世勇，矫淑杰 (哈尔滨工业大学材料科学与工程学院光电信息材料与量子器件系．黑龙江哈尔滨 150001) 摘要：利用cuo作为前驱体对zno进行了cu掺杂研究，分别在不同温度下获得了zno纳米带及有纳米带 构成的微米花状结构，对其生长机理进行了分析。并且以Cu片为衬底获得了zn0的纳米梳以及有纳米梳构 成的多层结构znO。xRD表明产物中只有zn0单质相的存在，EDs证明产物中存在cu元素。zn0室温下的 PL谱表明其uV与深能级发射强度比随cu掺杂量的增加而变大，说明cu的掺杂能够降低zn0的缺陷峰 强度。 关键词：zn0；Cu掺杂；光致发光 中图分类号：0472 文献标识码：A DoI：10．3788／f豁叭39 andCharacterizationof ZnoNanoMaterials Preparation Cu-doped LAN Fei-fei，WANGJin—zhong+，WANGDun-bo，LIQian，YANYuan， YU Qing-jiang，GAOShi-yong，JIAOShu_jie (DEPoH，，增凡￡矿0：p￡o—efecf^c蜘，T，}n￡ion朋k把，缸b口ndQ“o凡￡u，n砒泌， sc^00z 0，朋roferiⅡ如如，瑚口蒯E昭i聊e矗增，^kr6抽，瑚疵Ⅱ￡e矿％c^加z9盯，^kr6讥15000l，c矗iM) }CDr，邯Po以i昭J4Ⅲ^or，E—mn“：肋抽。增一埘。昭@耽．edu．cn ZnO were CVDunderdifkrent Abstract：Cu—dopedsamplespreparedby growthtemperature，and their mechanismwas The werecharacterizeddifI}action growth analyzed．samples byX-ray patterns， PL XRD confi珊thatthe are andshow Zn0 SEM，and pattems samplespolycrystal single spectra． EDS thatCuis inZnO Room PL hexagonalphase． analysisproVed doped samples． temperature indicatethatthe ratioofUVto 1evelemissionincreaseswithCucon— spectra intensity deepenergy the ofCucausesthe inthe to tentinZn0，which introduction