一种外延生长高质量GaN薄膜的新方法3-深圳大学.pdfVIP

第 55 卷 第 7 期 2006 年 7 月 物 　理 　学 　报 Vol . 55 ,No . 7 ,July ,2006 ( ) 10003290200655 07 360605 ACTA PHYSICA SINICA 2006 Chin . Phys. Soc . 一种外延生长高质量 Ga N 薄膜的新方法 ) ) ) ) ) ) ) 彭冬生1 2 3 　冯玉春3 　王文欣3 　刘晓峰3 　施 　炜3 　牛憨笨3 1) ( 中国科学院西安光学精密机械研究所 ,西安 　710068) 2) ( 中国科学院研究生院 ,北京 　100049) 3) (深圳大学光电子学研究所 ,深圳 　518060) (2006 年 1 月 19 日收到 ;2006 年 2 月 21 日收到修改稿) 　　采用化学方法腐蚀 c面蓝宝石衬底 , 以形成一定的图案 ;利用 LPMOCVD 在经过表面处理的蓝宝石衬底上以 ( ) 及常规 c面蓝宝石衬底上外延生长 GaN 薄膜. 采用高分辨率双晶 X 射线衍射 DCXRD 、三维视频光学显微镜 ( ) ( ) ( ) OM 、扫描电子显微镜 SEM 和原子力显微镜 AFM 进行分析 ,结果表明 ,在经过表面处理形成一定图案的蓝宝石 ( ) 衬底上外延生长的 GaN 薄膜明显优于在常规蓝宝石衬底上外延生长的 GaN 薄膜 ,其 0002 面上的 XRD FWHM 为 ( ) ( ) 20880 弧秒 , 1012 面上的为 32076 弧秒. 同时 ,此方法也克服了传统横向外延生长技术 LEO 工艺复杂和晶向倾 斜高的缺点. 关键词 : 表面处理 , MOCVD , 横向外延生长 , GaN 薄膜 PACC : 7280E , 6855 界[7 ,8 ] . 为了克服传统横向外延生长存在的问题 ,现 1 引 　 言 采用一种新型的、简便的无掩膜横向外延技术 ,并结 合 MOCVD 薄膜生长技术 ,在蓝宝石衬底上生长高 以 GaN 为代表的宽禁带直接带隙半导体材料 质量 、低位错密度 GaN 薄膜. 是近年来国际上备受重视的新型半导体材料 ,其优 异的物理 、化学稳定性 ,高饱和电子漂移速度 ,高击 2 实 验 穿场强和高热导率等优越性能 ,使其成为短波长半 导体光电子器件和高频 、高压 、高温微电子器件制备 本文外延生长所用