应变Si1-xGex能带结构研究.pdfVIP

第 58卷 第 11期 2009年 11月 物 理 学 报 Vo1．58，No．11，November，2009 1000．3290／2009／58(11)／7947．05 ACTA PHYSICA SINICA ⑥2009Chin．Phys．Soc． 应变 Sil—Ge 能带结构研究* 宋建军 张鹤鸣 胡辉勇 宣荣喜 戴显英 (西安电子科技大学微 电子学院，宽禁带半导体材料与器件重点实验室 ，西安 710071) (2009年3月 13日收到；2009年4月3日收到修改稿) 采用结合形变势理论 的K．P微扰法建立 了(001)，(101)和(111)面弛豫 si衬底上生长 的应变 si。一Ge(X≤0．5) 的能带结构模型 ，获得了其导带带边能级、价带带边能级、导带劈裂能、价带劈裂能及禁带宽度随Ge组分()的函 数变化关系，该量化数据对器件研究设计可提供有价值 的参考 ． 关键词：应变 Si一Ge，K．P法 ，能带结构 PACC：7360F，7125C，7115M 2．能带结构模型 si材料在半导体器件与集成电路中占据主导地 2．1．导带模型 位 ，缩小特征尺寸一直是提高 si器件与集成 电路 的 主要技术途径 ．但随着器件特征尺寸不断减小 ，器件 弛豫 si一Ge(≤0．85)的导带底能谷 (△)可 的物理性能和工艺技术 已经接近了极限，如何在现 以认为与弛豫 si的一致 ，是沿 (100)方 向布里渊区 有条件下提高器件 的性能显得尤为重要 ．si基 (Si， 中心到边界处 的六个等同的旋转椭球面 ．弛豫 si衬 Ge，Si 一 Ge)应变材料具有带 隙可调 、载流子迁移 底上生长 的应变 Si一Ge 由于受到双轴压应力作 率高等优越的物理特性 ，已经成为高速 ／高性能半导 用 ，△ 能谷能级将会发生移动，其能级能量可以由 体器件与集成电路的研究发展重点 ． 线性形变势理论确定 ]： 能带结构是深入研究 Si基应变材料基本属性， E 00 = E 00 ： E + E 0o 设计高速 ／高性能器件与电路的重要理论依据 ，意义 ： E：+ E00 重大 ．目前 ，国内外有关应变 Si。一Ge器件与电路 ： E +虽 (e +e +e)+量 e ， 的研究报道较多 ，但对能带结构的研究相对较少，且 ：E ： +艿 。 文献报道多为 si(001)面外延生长应变 Si一Ge材 ： 十 姐 料的结果 ，不能满足器件研究设计的需求 ．本文采用 ： E +苴 (e +e+￡)+亘 e， 结合形变势理论的K．P微扰法 ，研究建立了(001)， E ：E ： E + E (101)，(111)面弛豫 si衬底上生长双轴压应变 si一 = + E Ge 的能带结构模型，获得了有实用价值的相关结