掺氢非晶硅薄膜材料光稳定性的研究.pdfVIP

( ) 第 21 卷总第 34 期 　　　　　　　　西 北 民 族 学 院 学 报 自然科学版 Vol. 21 ,No. 1 2 0 0 0 年 3 月 　　 　　Journal of Northwest Minorities University( Natural Science) 　 March ,2000 掺氢非晶硅薄膜材料光稳定性的研究 薛　华 , 于积贞 , 李永忠 (西北民族学院 物理系 ,甘肃 兰州 730030) 摘　要 : 用射频辉光放电法制备了 aSi : H 样品 ,并对样品进行了光照测试 实验表明 ,样品经过光照 后 ,光电流和暗电流逐渐减小 ,在光照初期 ,这种变化很大 ,随着光照时间增加 ,光诱导效应渐趋饱和 ,这种现 象是由于强光照产生亚稳缺陷态所引起 讨论了在非晶硅氢薄膜中亚稳光诱导变化的机理 ,并解释了 SW 效应形成的微观过程 关键词 : SW 效应 ;缺陷态 ;光电流 中图分类号: O484. 4 + 1 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 :(2000) 　　自从 Steabler 和 Wronsiki 发现掺氢非晶硅薄膜在强光照射后会引起光、暗电导率的降低 的实验结果后 ,许多研究人员就 aSi : H 的光吸收及稳定性作了大量研究 ,发现强光照还会引 起 aSi : H 薄膜其他一些性质的改变 ,如 Morigaki 等人发现 aSi : H 薄膜在长时间强光照射后 , 其光致发光强度减小 ,H. Dersch 等人对 aSi : H 样品进行了强光和长时间照射后 ,作了 ESR 测 量 ,观察到电子自旋共振信号增加 ,表明了光诱导悬挂键密度的增加 , Goodman 对 aSi : H 膜进 行了光照之后 ,用场效应法测量隙态密度 ,测量表明薄膜隙态密度增加及亚隙吸收等 不同的 实验测试方法得出的结果是一致的 , 即用强光照射后 ,在 aSi : H 薄膜中产生了亚稳态 这些 亚稳态以可逆方式降低过剩载流子的寿命和移动费米能级的位置来影响薄膜的光、电性质 ( ) 除此之外 ,Schttky 二极管、太阳电池 pin 二极管 等许多与 SW 效应有关的实验也提供了大 量资料 ,这些实验说明了过剩载流子的复合具有产生亚稳态缺陷作用 ,与是否是光照产生的过 剩载流子无关. 由这些实验,许多人提出了解释 SW 效应不同的微观机理. 但目前对非晶半导 体材料 SW 效应形成的机理仍不清楚 ,大多数人主要倾向于 Dersch 等人提出的对微观过程机 理的解释 ,即光激发载流子引起弱 SiSi 键断裂 ,成为一个或两个 Si 悬挂键的观点 在本文 中 ,介绍了 aSi : H 薄膜的制备过程和光电导的测量过程 ,讨论了 SW 效应对光电导的影响及 SW 效应的微观过程 ,研究了 aSi : H 薄膜在光照前后光电导下降的原因 ,主要是薄膜中 SiH 键的重新取向和缺陷态引起的. 收稿日期 : ( ) 作者简介 : 薛华 1955 — ,甘肃榆中人 ,西北民族学院物理系副教授 ,博士 ,主要从事半导体发光材料的 研究 —14 — 表 1 　aSi :样品制备条件 1 　样品的制备与测试 气 　　源 SiH + H 4 2 11 　样品的制备 气体温度 210 ℃ 混合气体比例 SiH ∶H ( 1 ∶9) aS