正激DC%2FDC+变换器电路拓补结构研究.pdfVIP

正激电路拓补结构研究 在各种间接直流变流电路中，正激DC/DC变换器具有电路拓补结构简单，输入输出 电气隔离，电压升、降范围宽，易于多路输出等优点，因此被广泛应用于中小功率电源变换 场合，尤其在供电电源要求低电压大电流的通讯和计算机系统中，正激电路更能显示其优势。 但是在开关关断期间，高频变压器必须磁芯复位，以防变压器铁心饱和，因此必须采用专门 的磁复位电路。正是由于磁复位技术的多样性，以及软开关技术的发展，导致正激电路拓补 结构的多样性。随着电力电子技术的发展，各种新的正激电路拓补结构不断出现，不同的拓 补结构已有二十余种。本文详细阐述了正激电路拓补结构的分类，结构比较，和应用场合， 并且分析了软开关技术在正激电路中的应用。 1． 基本电路结构 典型的单开关正激电路如图1所示。 电路的简单工作过程为：开关管S 开通后，变压器原边电压上正下负，根据同名端， 负边电压也为上正下负，因此二极管D1 导通，D2截止，电感电流逐渐增长；S关断后， 二极管D2 导通，D1截止，电感电流通过D2续流。变压器的励磁电流通过磁复位电路降 为零，防止磁芯饱和。 图1 正激电路的原理图 2． 各种拓补结构的分类及比较 正激电路拓补结构多种多样，大致可以这样分类：根据驱动管子个数，可分为单管正激， 1 双管正激；根据磁芯复位技术的不同，可分为辅助磁通绕组复位，LCD缓冲网络复位，RCD 箝位复位，有源箝位复位；根据拓补结构的形式不同，可分为单个变换器和串、并组合变换 器。 2．1单管正激与双管正激 单管正激如图1所示。双管正激有两个开关管，其基本结构就比单管正激多一个开关 管，原理图如图2所示。 图2 双管正激电路原理图 单管正激在S 关断后，开关管承受的电压高于电源电压，双管正激由于有两个开关管， 每个开关管承受的关断电压只有单管的一半，因此电压应力大大减小。双管正激电路有很多 有点：主管的电压应力小，电路简单，控制方便，电路的动态性能好，可靠性高，不存在桥 臂直通，拓宽了电路的功率等级。但是与单管正激相比双管正激因为有两个管子，需要两套 驱动装置，因此它的这些有点是以电路复杂性为代价的。 2．2 磁芯复位电路 目前，正激电路磁芯复位技术主要有：辅助磁通绕组复位，LCD箝位复位，RCD 箝位 复位，有源箝位复位。 辅助磁通绕组复位是一种传统的磁芯复位方法，电路原理图如图3所示，它增加了一 个附加线圈，在开关管关断的时候，磁化能量通过辅助磁通绕组回馈到电源，磁化能量无损。 但是变压器需要增加一附加线圈，绕制难度加大，同时体积也增大，而且，开关关断后，变 2 压器的漏感将导致大的关断尖峰电压，需要附加抑止尖峰电压电路。占空比不能超过0.5， 不适合大功率输出场合。 图3 辅助磁通绕组复位电路 RCD箝位复位电路原理图如图4所示。开关管关断后，磁化能量一部分转移到开关管 并联电容Cs 中，一部分消耗在箝位电阻R上。与辅助磁通绕组复位相比，RCD箝位复位 电路结构简单，开关管关断电压箝位在Uc＋Uin，不会出现尖峰电压，且占空比可以大于0.5， 输入电压范围可以很宽。它的缺点是大部分磁化能量消耗在箝位电阻R中，因此适合于廉 价、效率要求不太高的功率变换场合。 图4 RCD箝位复位电路 LCD缓冲网络复位电路原理图如图5所示。开关管关断后，磁化能量存储在箝位电容Cc 中，开关管关断电压箝位在2Uin，Lc中能量无损地回馈到电源。LCD 箝位复位电路结构简 单，开关管关断电压箝位固定，避免了尖峰电压；而且不存在耗能元件，属于无损复位，提 高了电路变换效率；而且电路地可靠性高，通过选取适合地箝位电路元件值，可以保证电路 工作在较宽地负载范围内，且箝位电容Cc的电压值、电感Lc 的电流峰值不改变。占空比 最大为0.5，输入电压范围受限，因此适合于中等功率高效变换场合。