高温超导滤波器后级的低温低噪声放大器的设计和调试方法.docVIP

在高温超导滤波器后级的低温低噪声放大器的设计和调试方法 随着超导材料应用的发展, 采用高温超导材料制备的滤波器表现出前所未有的高性能. 高温超导滤波器与低温低噪声放大器(LNA) 组成的射频接收机前端具有广阔的应用前景[1]。在国内，自行研制的超导接收机前端已经在移动通讯基站中试运行，并获得良好效果。超导接收机前端是由高温 超导滤波器、LNA、制冷机、真空腔及控制电路组成，如图1所示。由于LNA工作在和超导滤波器相同的低温环境下，放大器电路的热噪声相当低。在晶体管选 取方面，HEMT(高电子迁移率场效应晶体管)很低的噪声和良好低温性能非常符合要求。由于可获取商业用晶体管的S参数仅限于常温至-55oC, 对制备低温70K下工作的放大器带来一定的问题。 本文选用atf-54143型晶体管，采用常温下晶体管的S参数进行设计，并主要采用集总元件实现电路匹配。详细分析了如何设计匹配电路来满足放大器各项指标要求，并提出了低温环境下的调试方法。 1 放大器设计 将放大器电路按图2作简化，由于1.9GHz-2GHz属于L波段，选择集总元件作匹配电路可以有效减小电路尺寸。设计方法同常温下设计低噪声放大 器的方法一致，通过微波仿真软件ADS帮助计算，综合考虑功率匹配，噪声匹配和驻波匹配，在保证放大器绝对稳定的前提下找到平衡点，使得各指标满足性能要 求。 图2 放大器示意图 噪声系数是优先考虑的对象，晶体管的噪声由下式决定： 输出匹配电路为了稳定性的考虑通常要加入损耗元件，其功率匹配和驻波匹配不再一致，设计的主要任务是得到需要的ΓL值的同时改善输出驻波匹配。 2 放大器的研制和低温下调试 根据设计的电路绘制PCB版图，焊接元件，封装等一系列步骤以后，研制出需要的放大器（图3）。在70K超导温度下测量，发现其性能和设计有较大偏 差，这一方面是由于实际电路中大量短微带线的影响，各分立元件的离散性，和软件模拟晶体管性能的误差。更重要原因的是晶体管特性在如此低的温度下发生的显 著的变化。根据德国波鸿大学Helmut Piel 教授小组对atf54143晶体管的测量，其S参数较常温都呈现往高频偏移的特性[3]。 图3 放大器实物图 由此可见，根据实测结果对电路的部分元件进行调整是必需的。调试的步骤可归纳为低温下测量 ━ 理论计算偏差值 ━ 常温下置换元件 ━ 低温下测量的循环过程，直到获得满意的性能。 放大器的调试主要就是匹配点的调试，借助Smith圆图将使这个过程变得直观方便。以输入驻波为例，根据低温下网络分析仪测得的Γ1值利用史密斯圆 图可以反推Γin值，然后计算使Γ1=0的C1*,L1*取值。值得注意的是，放大器两端的引线和SMA接头的长度lin必须加入计算。图4形象地展示了 计算的过程。 C1，L1作为贴片元件，其元件值都是分立的，经常出现元件系列中没有需要的元件值的情况，这给调试带来一定的困难。采用可调微带电抗可以很好的解决这个问题。图4中给出了可调微带的结构，一个后端接了一段开路微带线，根据微带线理论，此支路等效阻抗Z1由（3）式决定： 其中，β由微带线宽高比W/h和介质介电常数决定，通过改变微带线宽W可以改变参数β。于是我们可以通过调节微带线的L与W来微调接入阻抗Z的值。这样的结构相当于一个连续可调的C’。增加这样一个可调微带结构以后，支路值可以通过切割或者粘贴微带线连续可调，给低温调试带来极大的便利。类似的，如果使用一段末端接地的短微带线作为支路，则相当于一个可调电感，同样可以用来调试放大器电路。 图4 Smith圆图和可调微带上 述调试方法适用于L波段，对于更高的微波频段，电路分布效应进一步增加，需要更精确的调试方法。最后，经过调试的低温低噪声放大器在70K温度下 1.9GHz-2GHz通带内满足增益大于18，输入输出反射损耗小于-20dB，噪声低于0.5dB，满足性能要求并且和超导滤波器匹配良好（图5）。