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中央电大试题
试卷代号:2660
座位号C口
中央广播电视大学 2012一2013 学年度第一学期开放专科期末考试
光伏检测与分析试题
2013 年 1 月
!题号!咱叫 1 工 i 三!总分i
i 分数
一、单项选择黯{本踵共 30 分，每小醒 3 分}
1.冷热挥笔法藕于利用半导体的( )来测量等电类嚣的方法。
A. 握握电效应 且整流效应
c.以上工种皆可 口.以上二种皆不可
2. 半导体硅的常用液体试费i 腐t虫剂中 HCL 的浓度大致为( )。
A. 49% B. 70%
c. 30% D.3自%
3. 襄拉单晶中氧含量头部与路部相比〈 〉。
A. 较高 且相间
C. 较低 D. 无法岁u 断
4. 晶菌指数最低的品酶总是具有〈 〉的晶菌闰距。
B. 相等
A. 最小
D. 无法判断
C. 最大
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5.RO 反渗透技术是利用( )为动力的膜分离过滤技术。
A. 吸附力 B. 离子交换
C. 电力 D. 压力差
6. 对三氯氢硅中痕量杂质的分析采用蒸发法使用微量高纯水和 SiHCL3 作用产生少量
( )水解物，对痕量杂质元素有吸附作用。
A. ~02 R ~H
C. HCL D. Si
7. 超纯水是电阻率达到( )Mn. cm 左右的水。
A. 16 B. 17
C. 18 D. 19
8. 气相色谱法测定干法 H 的组分岗位存在的环境因素是( )。
2
A. 液氮低温冻伤 B. 潜在氢气泄露引起的爆炸
C. 温度过高 D. 没有明显危险源
9. 质谱的定量分析是在质谱图上，谱线的峰值所对应的离子流强度即谱线的黑度代表了
( )从而进行杂质分析。
A. 离子的质量
B. 离子的浓度
C. 离子的运动 D. 离子的温度
10. 用冷热探笔法测量导电类型时，热探笔的温度要适当，以( )为宜。
A. 30~50C B. 40~60C
C. 50~70C
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