基于PN结的温度测量系统.doc

一.设计原理与总体方案 1.1二极管（PN结）特性 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流 理想PN结的正向电流IF和正向压降VF存在如下关系:IF= Is*exp【-e*Vf/(k*T)】 温度对二极管的性能有较大的影响，温度升高时，反向电流将呈指数规律增加，如硅二极管温度每增加8，反向电流将约增加一倍；锗二极管温度每增加12，反向电流大约增加一倍。另外，温度升高时，二极管的正向压降将减小，每增加1，正向压降VD大约减小2 mV，即具有负的温度系数。这些可以从图所示二极管的伏安特性曲线上看出。 (1+1nT/T0).因1nT/T0是T的缓变函数, S的模随着T增加而上升,但在不宽的温度范围内,S近似常数。 1.2主要电路方案分析 为保证整个温度测量范围内PN结的正向电流恒定，PN结的正向偏置采用恒流源驱动。采用三极管的特性和特殊电路，让通过二极管的电流始终在100uA左右。 采用电桥连接方式使放大器放大传感器变化电压的差值。电桥通过两个电阻和二极管并联构成，从而向放大器正负两端输入电压。通过理论分析及仿真实验研究选择合适的电桥电路参数。 PN结的结电压变化是一个微弱信号，结电压在温度每变化1度时大约变化2mv左右，所以需要进行放大后才能被后续电路处理。采用三运放高共模抑制比放大电路，放大电桥两端的