DB—FIB电子束辅助沉积Pt法在FA中的应用实例.pdfVIP

维普资讯 电子科技2008年第21卷第3期 DB—FIB电子束辅助沉积 Pt法在 FA中的应用实例 陈 强 ，汪 辉 ，李 明 (1．上海交通大学 微电子学院，上海 200030；2．中芯国际集成电路制造 (上海)有限公司 分析实验室 ，上海 200000) 摘 要 双束聚焦离子束 (DB—FIB)已经成为半导体工业 中，尤其是失效分析 (FA)工作中非常重要的工 具。当进行表面缺陷的分析时，为了保证缺陷的完整性 ，在离子束铣 削之前往往会在缺陷上沉积一层 Pt薄膜作 保护层。DB—FIB将离子束和电子束集成在一套设备 中，因而允许使用常规的离子束辅助沉积 (IA—CVD)和电 子束辅助沉积 (EA—CVD)技术。讨论 了一个铝焊垫(Pad)表面缺陷分析的案例。采用常规 IA—CVD沉积Pt层的 方法 ，造成缺陷损伤 ，核心消失，界面模糊 。而采用 EA—CVD沉积 Pt层 的方法 ，造成 的损伤极小，缺陷保留 完整，最终分析得出该Pad表面缺陷是由于原电池反应所产生的表面缺陷。 关键词 聚焦离子束；失效分析；电子束；原电池反应 中图分类号 TN305．7 文献标识码 A 文章编号 1007—7820(2008)03—026—04 FA CaseStudyoftheApplicationofEA —-CVD PtTechniqueintheDB—-FIB System ChenQiang ，WangHui，LiMing (1．SchoolofMicroelectronics，ShanghaiJiaotongUniversity，Shanghai200030，China； 2．AnalyseLaboratory，SemiconductorManufacturingInternationalCorporation(SMIC)，Shanghai200000，China) Abstract TheDual—BeamFocusedIonBeam (DB—FIB)hasbecomeavery impoaantinstrumentin thesemiconductorindustry，especiallyintheFailureAnalysis(FA)field．Toanalyzeasurfacedefect，aPt film willbedepositedonthedefectsurfaceforprotectbeforeionmillingofFIB．Dual —beam instrumentsincor- poratebothanelectroncolumnandanioncolumnintoasingleinstrument，andthereforeallow thechemical va- pordeposition(CVD)processtobeeitherion—orelectron—beamassisted．Inthispaper，acaseaboutpad surfacedefectisdiscussed．Damageisobservedinthesurfacedefectinwhichion——beam assistedCVDproces- sesareemployed．Butelectron—beam assistedCVD processesprotectthesurfacevery well，andthemotcause ofthesurfacedefectturnsouttobethepadsurfaceGalvanicCelleffect． Keywords focusedionbeam；failure analysis；electronbema ；galvaniccelleffect 随着集成电路集成度的不断提高，特征尺寸 枪集成到一套系统中，可以在高分辨率 SEM像监 不断缩小进入纳米级别 ，FIB(聚焦粒子束)技术已 控下发挥FIB的精细加工能力 ，充分利用离子束和 经成为半