基于虚拟制造技术的集成电路工艺设计优化.pdfVIP

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2017-09-11 发布于山东
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基于虚拟制造技术的集成电路工艺设计优化.pdf

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第 32 卷第 3 期微电子学 V o l32, № 3 2002 年 6 月 M icroelectron ics Jun 2002 文章编号:(2002) 基于虚拟制造技术的集成电路工艺设计优化王　镇, 王纪民 (清华大学　微电子学研究所, 北京　100084) 　摘　要: 　采用虚拟制造技术对 08 m 双阱L PLV CM O S 工艺进行优化, 确定了主要的工艺参数。在此基础上, 对全工艺过程进行仿真, 得到虚拟制造器件和软件测试数据, 所得结果与实测数据吻合得很好。关键词: 　CM O S 器件; 虚拟制造; 工艺模拟; 工艺优化中图分类号: 　 432 文献标识码: 　 TN A 　 Optim iz ing IC Process D esign w ith V irtua l Fabr ica tion , W AN G Zhen W AN G J i m ing (Institu te of M icroelectronics , T sing hua U niversity , B eij ing 100084, P R Ch ina) 　 : 　 0 8 Abstract A m dual w ell L PLV CM O S p rocess is op tim ized and m ajo r p rocess param eters are defined us ing V irtual Fabrication technique T he w ho le p rocess is sim ulated and test data fo r virtual devices are obtained T he results are in good agreem ent w ith the m easured data Key words: 　 CM O S D evice; V irtual fabrication; P rocess sim ulation; P rocess op tim ization : 　2570 EEACC D 　 CM O S 工艺过程进行仿真, 得到虚拟制造器件, 经 1　引　言过软件测试和实际测试后, 再对此工艺进行优化设计, 为实际投片生产提供依据。计算机辅助设计 (CAD ) 技术已经成为设计研制集成电路、优化工艺设计以及分析半导体器件特 2　理论分析性必不可少的技术手段。经过多年来的不断发展, 人们开发出了各种 CAD 软件, 这些软件覆盖了微电集成电路中, 主要的器件参数有开启电压、击穿