半导体器件物理（全套课件429P）.ppt

2.1 平衡PN结 2.2 PN结的直流特性 2.3 PN结空间电荷区的电场和宽度 2.4 PN结的击穿特性 2.5 PN结的电容特性 2.6 PN结的开关特性 2.7 金属-半导体的整流接触和欧姆接触 2.1 P-N结及其能带结构 PN结能带图 1.平衡PN结的形成 平衡PN结接触电势差 练习 简单描述P-N结制作方法和杂质分布之间的关系。 什么是空间电荷区？ 什么是势垒区？ 什么是耗尽层？ 内建电场是如何形成的，方向如何？ 试写出突变结和线性缓变结杂质分布的表达式。 试概括平衡时的P-N结有哪些特点。 练习 2-1. 当P-N结外加正向偏置电压时，外加电压形成的电场方向与内建电场______（相反/一致），导致势垒区总的电场强度______（增强/减弱），这说明空间电荷数量______（增多/减少），也就意味着势垒区宽度______（增大/减小），势垒高度______（增大/减小）。此时，电场强度的变化导致载流子的漂移运动______（大于/小于）扩散运动，形成______（净扩散/净漂移）。 PN结为什么具有单向导电性 2.3 PN结空间电荷区的电场和宽度 空间电荷区内电力线分布 突变结的电场宽度 PN+ 结：N区杂质浓度比较大，空间电荷主要分布在P区 2.4 PN结的击穿特性 击穿机理： 1.雪崩击穿 2.隧道击穿（齐纳击穿） 3.热击穿（热击穿） 2.4.1 击穿机理 1、电击穿:当反向电压增加到一定程度时，反向电流突然陡增，这个现象称为PN结的反向击穿（电击穿）。 电击穿是 可逆的（去掉反压，二极管仍能恢复工作）。 电击穿有两种击穿机理 ： 雪崩击穿 齐纳击穿 2、热击穿:当反向电流进一步增大，结温升高，烧毁PN结，称为热击穿 电击穿后如无限流措施，将发生热击穿现象。 热击穿会破坏PN结结构（烧坏） 热击穿是 不可逆 的（PN结烧毁）。 （1）什么是雪崩击穿 反向偏压增大到某一数值后，载流子的倍增如同雪山上的雪崩现象一样，反向电流急剧增大 1.雪崩击穿 在轻掺杂的PN结中，当外加较高的反向电压时（U>6V），耗尽区较宽，少子漂移通过耗尽区时被加速，动能增大。当反向电压大到一定值时，在耗尽区内被加速而获得高能的少子，会与中性原子的价电子相碰撞，将其撞出共价键，产生电子、空穴对。这种现象称为碰撞电离。新产生的电子、空穴被强电场加速后，又会撞出新的电子、空穴对。 使载流子数目急剧增加，反向电流急剧增大，形成雪崩击穿。 从能带观点来看，就是高能量的电子和空穴把价带中的电子激发到导带，产生了剧增的电子–空穴对 碰撞电离与雪崩倍增 碰撞电离：高速运动的载流子与晶格碰撞能碰撞出晶格上的价电子，结果产生新的电子-空穴对 雪崩倍增：这些新产生的电子-空穴对再从电场中获得动能，进一步产生电子-空穴对。 碰撞电离率与雪崩倍增因子 碰撞电离率：一个载流子在电场作用下漂移单位距离时，碰撞电离产生的电子空穴对数。 雪崩倍增因子M：表示电流倍增的程度。 M=I/I0 I发生倍增后的电流；I0没有倍增时的反向电流 （2）雪崩击穿的条件： 2.隧道击穿 强电场作用下，由于隧道效应，大量电子从P区价带进入N区导带所引起的击穿现象。 最初齐纳用这种现象解释电介质的击穿，故又称为齐纳击穿 2.隧道击穿(齐纳击穿) 在重掺杂的PN结中，耗尽区很窄，所以不大的反向电压（U<4V），就能在耗尽区内形成很强的电场。强电场足以将耗尽区内中性原子的价电子直接拉出共价键，产生大量电子、空穴对，使反向电流急剧增大。这种击穿称为齐纳击穿或场致击穿或隧道击穿。 一般来说，对硅材料的PN结，UBR>7V时为雪崩击穿； UBR <5V时为齐纳击穿； UBR介于5~7V时，两种击穿都有。 3.热击穿（热电击穿） 反向电流引起的热损耗，结的温度上升，PN结被烧毁 （禁带宽度小的半导体材料容易发生） 反向偏压的绝对值增大，载流子存入势垒区还是从势垒区取出？ 反向偏压的绝对值减小，载流子存入势垒区还是从势垒区取出？ 正向偏压增大，载流子存入扩散区还是从扩散区取出？ 正向偏压减小，载流子存入扩散区还是从扩散区取出？ PN结电容与一般的电容器的区别： 通常的电容器能阻隔直流，PN结允许直流通过 PN结的势垒电容随外加偏压而变（PN结的主要特点） 作业三 1.平衡PN结形成的物理过程？ 2.什么叫PN结的单向导电性，为什么具有单向导电性？ 3.什么叫PN结的电击穿？试叙述PN结雪崩击穿和隧道击穿的机理，并说明其不同之处？ 4.什么叫势垒电容，什么叫扩散电容？ 2.6 PN结的开关特性 PN结的两端各引出一个电极，PN就形成二极管 所以研究PN结的开关特性实际上就是指二极管的开关特性。 3.二极管的开关特性 二极管的应用(二极管