及ぼす影響を検討し、栽培技術の改善を図る。1供試品種（試験.pdfVIP

(野菜花き一花き花木一栽培） (園芸一野菜花き一花き花木） ７８電照ギクの無摘心栽培技術の確立 課題名 分類 ① l)キクの１２～１月出し栽培におけるさし穂､さし芽苗の低温処理法 試験研 63～１年（完了） 究年次 Ｉ目的 電照ギクの１２月出し無摘心栽培における、穂、苗の種類と低温処理温度及び期間が生育開花に 及ぼす影響を検討し、栽培技術の改善を図る。 Ⅱ試験方法 １供試品種（試験Ｉ）秀芳の力、 (試験11）秀芳の力、太陽 ２試験区の構成 試験Ｉ穂、苗の種類と低温処理（63年）試験Ⅱさし穂とさし芽苗の低温処理（1年） （１）穂、苗の種類さし穂、さし芽苗（１）低温処理温度０℃ (2)低温処理０℃、2.5℃、５℃（２）さし穂の低温２週間､3週間､4週間 温度処理期間５週間 (3)低温処理２週間､4週間（３）さし芽苗の低温１週間､2週間､3週間 期間６週間処理期間４週間､5週間 ３耕種概要 (1)さし芽時期（試験Ｉ）無処理区昭和63年９月２日､低温処理区定植4,6及び8週間前 (試験Ⅱ）無処理区平成1年８月１６日､低温処理区定植8及び9週間前 (2)さし芽期間２週間 (3)定植時期（試験Ｉ）昭和63年９月16日（試験、）平成１年９月１日 （４）電照期間（試験Ｉ）９月16日～11月４日（深夜4時間光中断） (試験、）９月１日～10月23日（〃） (5)温度管理（試験Ｉ）昭和63年１０月20日～１１月4日15℃､11月5日～26日１６℃､11月26日 以降１２℃ (試験Ⅱ）平成１年９月１日～１１月７日15℃､１１月8日以降開花まで13℃ Ⅲ主要成果の概要 ｌ電照ギクの12月出し無摘心栽培は、さし穂またはさし芽苗を0～2.5℃で4週間低温処理するこ とによって、心腐れの発生が少なく定植後の草丈の伸長が促進される。 ２さし穂とさし芽苗の低温処理を併用する場合は、０℃でさし穂3週間とさし芽苗3週間との組み 合わせが生育開花の揃い、切花品質の点からも優れる。 ３心腐れ株は、さし穂またはさし芽苗の単一処理では6週間、併用処理では7週間で発生しやす い。一方、心止り株は専用親株を用いると発生が少ない。 －１７８－ Ⅳ主要成果の具体的データ 第１表穂、苗の種類と低温処理(63年）第２表さし穂とさし芽苗の低温処理(１年） 低温処心腐れ平均 穂十苗の低心腐れ平均 切花長品種 切花長 理方法株率開花日 温処理期間株率開花日 週間％月日ｃ、週間％月日ｃ、 無処理０１．２７２．６無処理０１２．２１９０．４ ２０１２．３１７５．１秀５Ｗ＋1Ｗ ３１１２．２０１００．０ 0℃４０12.29８０．７芳４Ｗ＋2ｗ１１１２．２０１０４．６ さ６９６．７１２．３０７４．１の３Ｗ＋3ｗＯ１２．２０107.1 し２０１２．３１７４．５力２W＋4Ｗ５１２．１９１０７．８ 穂2.5℃４５．６１２．２９８４．９５W＋2Ｗ ２０１２．１８１０５．０ ６９４．０１２．２９７４．０４w＋３ｗｌ５１２．１９１１０．９ ２０１２．３１７４．９３Ｗ＋４Ｗ ３１１２．１９１０８．９ 5℃４０１２．２８７８．２２Ｗ＋５Ｗ２０１２．１８１１０．０ ６９０．１１２．２９７５．５無処理０１２．２２８５．６ ２０１２．３０７５．１太５w＋lｗ