掺杂TiO2的ZnO-Bi2O3压敏电阻器的性能及发展外文文献翻译.doc

掺杂TiO2的ZnO-Bi2O3压敏电阻器的性能及发展 傅静 徐政 ( 同济大学材料科学与工程学院, 上海 200092) 摘要 本文回顾了ZnO压敏电阻的历史,阐述了ZnO压敏电阻器的性能以及当前基础性研究的现状,并对其发展进行了展望。压敏电阻器未来的发展趋势是生产低压高能多层式ZnO压敏电阻器。二种添加剂由于功能不同而加以区分，我们从理论上分析了Bi2O3和TiO2添加剂的作用机理。TiO2的添加促进了ZnO晶粒的长大，进一步减小了晶界击穿电压。特别是毫微米级胶体TiO2添加剂的使用，为低电压ZnO压敏电阻器的制造提出了新的方法。此外，烧结温度对ZnO压敏电阻的电性能也有着重要影响。一般，低电压ZnO压敏陶瓷的适当烧结温度不应超过1250℃。这些影响为研究低电压ZnO压敏电阻提供了有效、合理的方法。 关键词 ZnO压敏电阻器 性能 发展 添加剂 Bi2O3 TiO2 晶粒生长 ZnO压敏电阻是一种多功能新型陶瓷材料,它是以ZnO为主体,添加若干其它氧化物(主要为过渡金属氧化物)改性［1］的烧结体材料。由于它具有性价比高、非欧姆特性优良、响应时间快(20～50ns)、漏电流小、通流容量大等优点,因此被广泛应用于电子设备和电力系统及其它领域。随着电子产品的小型化、集成化,对低压压敏电阻的需求量越来越大。 一 基本性能 ZnO压敏电阻的高非线性系数特点与它的烧结体的显微结构有关。在已出版的论中可以找到有关于它的化学性能、物理性能、电气性能和微观结构的研究[1,2]。 1.1 ZnO压敏电阻的化学性能 纯ZnO具有线性V-I特性的非化学计量n型半导体。为了使它具有非线性，在ZnO中引入各种氧化物。这些氧化物中最主要的是Bi2O3，Bi2O3被认为是压敏电阻的组成成分，不加它的话很难获得压敏电阻。这些氧化物的引入, 在晶粒和晶粒边界处形成原子缺陷,施主或类施主缺陷支配着耗尽层,而受主或类受主缺陷支配着晶粒边界状态。根据对ZnO中缺陷平衡的研究，Einzinge[3]已经发现缺陷向边界层不相等的迁移能够形成缺陷引起的势垒。 1. 2 ZnO压敏电阻的物理性能 ZnO压敏电阻器的非线性是一种晶粒边界现象,即在相邻晶粒耗尽层中存在的多数电荷载流子(电子)的势垒,认为肖特基势垒最像ZnO微结构中晶粒边界势垒。晶粒边界上的负表面电荷(电子捕获)是由晶界两侧晶粒的耗尽层中正电荷来补偿的。热电子发射和隧道效应是主要的传输机制。 1. 3 ZnO压敏电阻的电气性能 从ZnO压敏电阻器伏安特性来看,在正常工作电压下,它的电阻值很高,几乎是兆欧级、漏电流是微安,而随电压加大,阻值急剧下降,在浪涌电压冲击时,阻值几十欧姆,甚至0. 1~1欧姆,可见阻值随电压而变化。图1示出了典型ZnO压敏陶瓷的V-I特性曲线, 其V-I特性可分3个区域:小电流区、中电流区及大电流区(回升区)。其中小电流区和大电流区的V-I特性接近线性, 而中电流区是以高的非线性系数( 50) 和宽的电流范围(可在电流的6~7 个数量级上扩展) 为特点的[ 6] 。 1 .4 ZnO压敏电阻的微观结构 一般认为,在压敏电阻瓷中,除主晶相晶粒与晶界相外,还有其它物质相,例如还显存在着富铋相、尖晶石相、焦绿石相等(见图2)。ZnO相是构成压敏电阻的主晶相,尖晶石相是不连续的,它对陶瓷的非线性不起直接的作用,但由于该相与ZnO及富铋相在高温下共存,所以它对成分向各相的分配起作用,使富铋相具有一个特定的组成,又由于它在ZnO晶粒边界凝结,故能抑制ZnO晶粒的生长[ 7]；焦绿石相也是不连续的,对陶瓷的非线性不起作用,但在高温烧结时,它能与ZnO作用生成富铋相;富铋相有产生高值的作用。 二 添加剂的作用 2.1 Bi2O3添加的作用 Bi2O3是ZnO压敏陶瓷中不可缺少的添加剂。因为Bi2O3的熔点比ZnO和其它添加剂的熔点低得多,在温度较低时就可熔化为液相,此液相推动其它氧化物均匀地分布在ZnO 晶粒和晶界中,而冷却时由于Br3+离子半径(0. 110nm)远比Zn2+( 0. 074nm)大,不能进入ZnO晶粒而偏析在晶界,导致各种添加剂都向晶界偏聚, 形成一个很薄的界面, 使晶界势垒很高, 从而提高了ZnO压敏电阻器的非线性系数,使耐电流通流能力提高[8,9]。低压ZnO-Bi2O3-TiO2系晶界上富Bi相分布是非连续的, 2个ZnO晶粒接触区晶界宽度约为45nm,这一薄层起表面态作用, 对非线性特性有重要影响。但若添加量过大,一方面使晶界加宽,另一方面使尖晶石钛酸铋的量增加,