半导体物理(第2章)).pptVIP

半导体物理SEMICONDUCTOR PHYSICS 杂质半导体和杂质能级 间隙式杂质，替位式杂质 Si、Ge都具有金刚石结构，一个晶胞内含有8个原子。 由于晶胞内空间对角线上相距1/4对角线长度的两个原子为最近邻原子， 恰好就是共价半径的2倍，因此晶胞内8个原子的体积与立方晶胞体积之比为34%，即晶胞内存在着66%的空隙。 所以杂质进入半导体后可以存在于晶格原子之间的间隙位置上，称为间隙式杂质，间隙式杂质原子一般较小。 也可以取代晶格原子而位于格点上，称为替（代）位式杂质，替位式杂质通常与被取代的晶格原子大小比较接近而且电子壳层结构也相似。 Ⅲ、Ⅴ族元素掺入Ⅳ族的Si或Ge中形成替位式杂质，用单位体积中的杂质原子数，也就是杂质浓度来定量描述杂质含量多少，杂质浓度的单位为1/cm3 。 施主能级和受主能级 掺入施主杂质的半导体，施主能级ED上的电子获得能量ΔED后由束缚态跃迁到导带成为导电电子，因此施主能级ED位于比导带底Ec低ΔED的禁带中，且ΔEDEg。 空穴由于带正电，能带图中能量自上向下是增大的。 对于掺入Ⅲ族元素的半导体，被受主杂质束缚的空穴能量状态(称为受主能级EA )位于比价带顶Ev低ΔEA的禁带中，ΔEA Eg ，当受主能级上的空穴得到能量ΔEA后，就从受主的束缚态跃迁到价带成为导电空穴。 下图是用能带图表示的施主杂质