半导体物理学 第七版 刘恩科编著chap3.pptVIP

第3章 半导体中载流子的统计分布 3.1状态密度 Density of States 假设在能带中能量E与E+dE之间的能量间隔dE内有量子态dZ个，则定义状态密度g（E）为： 计算步骤 计算单位k空间中的量子态数； 计算单位能量范围所对应的k空间体积； 计算单位能量范围内的量子态数； 求得状态密度。 3.1.1 k空间中量子态的分布 对于边长为L的立方晶体 3.1.2 状态密度 导带底E(k)与k的关系 能量E~(E+dE)间的量子态数 可得 代入可得 导带底附近状态密度 对于实际半导体材料（旋转椭球等能面） 设导带底的状态有s个，根据同样方法可求得 其中 mdn称为导带底电子状态密度有效质量。 对于Si，导带底有六个对称状态，s=6 mdn=1.08m0 对于Ge，s=4 mdn=0.56m0 同理可得价带顶附近的情况 价带顶附近E(k)与k关系 价带顶附近状态密度 其中 对于Si，mdp=0.59m0 对于Ge，mdp=0.37m0 3.2费米能级和载流子的统计分布 Fermi-Level and Distribution of Carriers 3.2.1费米（Fermi）分布函数 服从泡利不相容原理的电子遵循费米-狄拉克（Fermi-Dirac）统计规律 K0玻尔兹曼常数，T绝对温度，EF费米能级 费米能级的