半导体器件物理 Chapter3 pn结及金属半导体接触.pptVIP

金属-半导体接触势垒 由于金属与半导体的功函数不同，它们相互紧密接触时，会产生接触电势差。 金属与N型半导体接触，WmWs 时 当它们紧密接触时，电子会从费米能级高的地方向低的地方流动，所以半导体中电子会向金属中流动，使金属表面荷负电，电子能量提高，而半导体表面形成正的空间电荷区；当整个系统达到平衡时，金属和半导体形成统一的费米能级。 金属与N型半导体接触，WmWs 时 此时，电子将从金属流向半导体，在半导体表面形成负的空间电荷层，使得半导体侧电子能量提高；在空间电荷区中表面附近能带向下弯曲，电子浓度将比体内的平衡浓度大得多，它是多子（电子)积累层，是一个高电导层；这种情况下，多子（电子）在两种材料中的相互转移，不需要越过势垒就可以运动到对方，通常称为多子反阻挡层。 肖特基二极管和pn结二极管的比较： 1）pn结正向是少数载流子注入，反向是少数载流子抽取。 肖特基势垒电流由多数载流子传导。 2）pn结中由于少子储存效应，影响了开关速度和高频特性。 肖特基势垒中多子并不积累，直接漂走，频率特性不受电荷存储时间的限制，具有更好的高频特性。 3）多子电流远高于少子电流，肖特基势垒中的饱和电流远高于有同样面积的pn结。 对同样的电流，在肖特基势垒上加的电压要少的多。 六、肖特基二极管特性 什么是平衡pn结？ 解释平衡pn结的空间