高科锗硅项目立项申报材料.doc

第一章 总论 1.1 项目名称与通信地址 项目名称：6″、0.35μm SiGe（锗硅）集成电路芯片生产线项目 承办单位：深圳市高科实业有限公司 法人代表：冉茂平 项目负责人：方中华 通信地址：深圳市深南中路中航苑航都大厦17楼G.H.I座 邮政编码：518041 传 真：0755电 话：07551.2 内容提要 由深圳市高科实业有限公司（以下简称高科公司）作为中方投资公司与ELIA TECH（亚洲）集团有限公司（以下简称ELIA TECH公司）在深圳合资组建一家合资企业，共同投资兴建6″、0.35μm SiGe（锗硅）集成电路芯片生产线项目，主要产品包括SiGe芯片和普通Si功率MOS器件芯片，形成月投片量5000片的生产能力。 项目总体规划分两期建设，一期工程初期实现6″SiGe HBT和SiGeVCO芯片共计5000片/月的生产能力（本项目），根据产品市场的发展和需求情况最终可形成20000片/月的生产能力，二期工程兴建8″生产线，实现月产8″SiGe芯片20000片。 一期工程规划用地116000 m2（包括研发中心用地20000 m2），二期工程规划用地84000 m2，总用地200000 m2。 本项目总投资（建设投资）2998.9万美元，注册资金1500万美元，高科公司占合资公司总股本的60%，ELIA TECH公司占合资公司总股本的40%。项目总投资中注册资金以外的部分(1498.9万美元)，将以合资公司名义向境内或境外金融机构贷款解决。 本项目用地由深圳市政府免费提供，一期工程用地位于深圳市宝龙工业园区，用地面积96200 m2，研发中心用地19800 m2，位于深圳市高新技术产业园区，规划建筑包括生产厂房（FAB1和FAB2）、动力厂房、综合楼、多功能中心、专家楼、倒班宿舍、化学品库、气站等，本项目（5000片）新建其中的生产厂房（FAB1）、动力厂房和倒班宿舍，合计新建面积26600 m2，其它建筑和子项根据生产规模的扩大实行分步实施。生产厂房（FAB1）按月投片20000的规模建设，洁净室和相配套的生产动力设施按5000片规模配置。 预计本项目达产年销售收入9633.82万美元，利润2848.96万美元，项目内部收益率57.26%，投资回收期3.23年。 1.3 项目建设的必要性和有利条件 1.3.1项目意义 本项目旨在建立一条6” 0.35μm SiGe集成电路芯片生产线，该生产线同Si集成电路具有兼容性，因此该生产线除了可以生产SiGe器件以外，也可以根据市场需求生产其它Si器件。本项目在投产初期，由于考虑到SiGe器件市场有一个发展过程，因而安排一定的生产量生产有用户需求的功率MOS器件，这样项目既考虑到一步就迈上了生产当前国际上先进的高频SiGe器件，为进一步发展这一类器件抢占更大的市场奠定基础，同时又能保证生产线的产量能达到饱和值，并为企业带来更大的效益。本项目的建立具有如下意义： （1）填补国内SiGe高频器件生产的空白，推动我国SiGe集成电路生产赶上国际先进水平。 SiGe高频器件是一种利用硅基片及能带工程的新型异质结双极器件，由于具有优良的高频特性同时又具有价格低廉以及同硅集成电路兼容集成的优点，因而深受各国重视。尽管1987年第一只SiGe HBT诞生，并经历了十几年的研究及发展，但一直到1998年真正的SiGe产品才问世。 本项目利用韩国合资方ELIA TECH公司掌握的先进SiGe器件及电路工艺技术生产的SiGe器件及集成电路，使我国能在最短的时间内填补这种器件及电路的空白，推动我国SiGe集成电路生产赶上国际先进水平。 （2）满足我国高频应用领域的需求，促进相关应用领域的发展 随着我国光纤通信、航天科技及军事科技的迅速发展，对高频电路不仅在数量上有更多的要求，而且希望电路满足低成本、小体积及能同硅电路兼容集成，从而构成系统集成芯片。SiGe技术正好满足这些要求，因而建立6英寸0.35μm SiGe集成电路生产线，能扭转我国目前高频电路主要依赖GaAs器件及大部分靠进口的状态，从而促进我国相关应用领域的发展。 （3）拓宽我国微电子产品的领域，形成我国SiGe集成电路生产及研发基地。 多年来我国微电子工业的发展缓慢，尽管截止2000年我国已共有25条微电子生产线，但除了上海华虹NEC的8英寸0.25μm产品刚进入当代国际硅主流技术水平以外，其它生产线以生产低中档产品为主。近年来我国微电子工业发展速度有所加快，特别上海“中心国际”及“宏力”8英寸0.25生产线的建立，扩充了我国集成电路的生产能力，提高了我国集成电路的产品水平。但是上述所有微电子生产线均未考虑SiGe器件的生产。因此本项目SiGe集成电路生产线的建立，可以拓宽