射频等离子体化学气相沉积(RF2PECVD)制备Si2O2N特种阻隔包装材料的研究.pdfVIP

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2017-09-09 发布于重庆
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射频等离子体化学气相沉积(RF2PECVD)制备Si2O2N特种阻隔包装材料的研究.pdf

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包装工程　PACKA GIN G EN GIN EER IN G Vol. 28 No. 1 2007. 01 ( ) 射频等离子体化学气相沉积 RFPECVD 制备 SiON 特种阻隔包装材料的研究周美丽 , 陈强 , 葛袁静 (北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室 , 北京 102600) ( ) 摘要 : 采用 13. 56MHz射频等离子体聚合装置 , 以六甲基二硅氧烷 HMD SO 和四甲基硅氧烷 ( ) TMD SO 为单体、氧气以及氮气为反应气体、氩气为电离气体 ,在载玻片、单晶硅片、PET等基材上沉积硅氧氮薄膜。在薄膜的制备工艺研究中 ,通过改变放电工作压强、放电功率、沉积时间和氧气、氮 ( ) 气、氩气和单体的比例等 ,研究所制备硅氧氮薄膜的性能。通过傅立叶红外光谱仪 FTIR 表征分析沉积膜的化学组成 ;采用透湿、透氧测试仪测试薄膜的阻隔性能 ,探讨工艺参数的变化对薄膜表面的成分和阻隔性能影响以及氮的加入对薄膜柔韧性的影响。关键词 : 阻隔包装 ; SiO N ; RFPECVD ,性能中图分类号 : TB484. 9　文献标识码 : A 　文章编号 : 100 1 - 3563 (2007) 01 - 00 10 - 03 Study of the SiO N B arrier Prop ertie s by R FPECVD ZHOU M eili, CHEN Q iang, GE Yuan j ing (B eij ing A rea Key L aboratory Printing Packaging M aterial and Technology, B eij ing 102600, Ch ina) Ab stract: The characterization of SiO N film s on PET sub strate s by p la sm aenhanced chem ical vapor depo sition for tran sp aren t barrier app lication wa s inve stigated. The film s were p rep ared by in terelectrode ca p acitively coup led typ e app aratu s and on condition sw ith carrier ga sA r , O , N , and monom er Tetram ethyl