高Q、低ε微波介质陶瓷结构与性能——对有序刚玉结构Mg-%2c4-Nb-%2c2-O-%2c9-材料研究.pdfVIP

高Q、低E微波介质陶瓷的结构与性能 ——对有序刚玉结构M94Nb20。材料的研究 苏未安 摘要：微波通信的高频化对微波材料和电子封装陶瓷提出了很高的要求： 高的Q·，值和不同的介电常数s。刚玉结构的a—AI：O，陶瓷具有非常高的Q·， 000 GHz)和相对较低的介电常数s(～10)，被广泛的用作基板 值(Q-，=300 材料和电子封装陶瓷。然而，氧化铝陶瓷的烧结温度和谐振频率温度系数f，限制 了它作为低温烧结基板材料的进一步发展。Mg．Nb，O。具有与口．AhO，相似的晶 000 体结构，Q·厂值可以达到350GHz，介电常数E与口．A如O，陶瓷接近，而烧结 温度却降低了200～400℃。因此，Mg．Nb：O，可望成为取代氧化铝陶瓷的新一代 商Q值基板陶瓷。 本文系统的研究了Mg。Nb：O，的合成及该系列陶瓷的结构与性能·主要实验 结果如下； Mg 4Nb20 现， MgINb209的相含纛R为95．71％。 对陶瓷的物相含量和Mg。Nb：O。的晶胞参数产生的影响不明显；合成粉末中的 碍晶粒的过