ZnO薄膜SolGel制备与光电性能研究.pdfVIP

ZnO薄膜的S01．Gel制备与光电性能的研究 摘要 ZnO薄膜是一种用途广泛的材料，纯ZnO薄膜及其掺杂薄膜具有优异的 光电性能，多种物理方法已广泛用于ZnO薄膜的制各过程，但是受设备工艺 条件的限制，影响其大规模的应用。近些年来，S01．Gel技术得到了很大的发 展，己成功制备多种优质薄膜。然而，ZnO薄膜的S01．Gel合成路线遇到的最 大困难是金属有机化台物在醇中的溶解度低，如何改善溶液的溶解度和增加 溶胶的稳定。性，Sol—Gel是怎样形成的，S01．Gel的热分解过程是否影响ZnO 薄膜的性能，最终影响ZnO薄膜性能的热处理参数是多少以及掺杂条件下的 ZnO薄膜的性能如何都是必须要解决的问题。本文正是在这些问题的基础上 展开的，成功地在普通载玻片上制备出高C轴择优取向、薄膜表面平整、致 密、粒子太小均匀的纯ZnO薄膜。为了更好地优化制备条件，研究了S01．Gel 的热分解过程和S01．Gel的形成机理。在此基础上结合当前热点，制各出A13+ 离子掺杂的ZnO透明导电薄膜，重点研究了影响薄膜光电性能的几个因素， 优化出本工艺条件下的最佳参数。 我们首先选用二水醋酸锌为前驱体，质子亲合力强的溶剂单乙醇胺为稳 定剂，制备出以异丙醇或乙二醇甲醚为溶剂的S01．Gel，经过预处理、烧结处 理制各出纯ZnO薄膜，采用AFM、SEM、X射线衍射详细地研究薄膜的表面 结构和表面粗糙度．借助uV．VIS透射光谱等手段对薄膜的光透性能进行详细 地研究。实验结果表明，薄膜表面粒子柱状生长，有助于提高薄膜表面结构 和光学透过性能的稳定性。预处理温度对ZnO薄膜的表面形貌有显著的影响。 预处理温度超过40012时，才能保证ZnO薄膜的透光率。烧结温度对薄膜的 光透性能影响不大，但是焙烧温度升高，ZnO薄膜逐渐趋于完整。二水醋酸 锌．单乙醇胺．乙二醇甲醚体系制备纯ZnO薄膜的适宜工艺条件为：浓度区间 在O．5～1．0M之间，稳定剂与前驱体的比例关系在l：1-1．5：1之间，预处理 温度大于400‘C，烧结温度大于550C。二水醋酸锌．单乙醇胺·异丙醇体系制 备纯ZnO薄膜时，若要得到表面粒子柱状生长的薄膜，需微量冰醋酸加入， 比例为O。01：1(mol％)．其余条件与二水醋酸锌．单乙醇胺．乙二醇甲醚体系 相同。 其次，在S01．Gel的热分解过程和S01．Gel的形成机理的研究中，通过热 分析分析了S01．Gel的热分解过程，采用红外光谱、x射线衍射和SEM等手 段分析了不同温度热处理的Sol—Gel和借助质谱等分析不同温度热处理的 Sol—Gel所分解的气体。实验发现，二水醋酸锌．单乙醇胺．异丙醇体系Sol—Gel 的热分解过程与纯二水醋酸锌过程的分解完全不同。ZnO薄膜的Sol—Gel热分 解过程、ZnO晶粒成核和生长过程集中在220—250℃温度区间内并趋于一步完 成。但是尚有胺类作用的异类ZnO晶粒生成和少量有机物残余，因此，制备 薄膜时有必要提高预处理温度。ZnO薄膜的S01．Gel的胶团结构可表示为： H3十NCH2CH20H．胶核 {(Zn(OAc)2]m·nOR。，(n·x)H3NCH2CH20H)x-x [Zn(OAc)2]。·n 最后，采用S01．Gel工艺在普通载玻片上制备出C轴择优取向性、高可见 光透过率以及高电导率的A】”离子掺杂的ZnO透明导电薄膜。利用SEM、XRD 等分析手段对薄膜进行了表征。研究结果表明：所制备的薄膜为纤锌矿型结 构，表面平整、致密。通过标准四探针法及UVS透射光谱详细研究了Al”离 子掺杂的ZnO薄膜的电学与光学性能。实验发现，当Al”离子掺杂浓度为O．8％ 时，前处理温度为400℃，退火温度为550。C．真空退火温度为550C时，薄 o·C．,ltl，其在可见光区的透过率 膜具有较好的导电性，电阻率为3．03×10刁 超过80％。 ZnO薄膜光电性能 关键词：S01．Gel So|_8el and of Preparation and StudyOpticaI