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半导体器件--场效应晶体管 1.4 场效应晶体管 由于晶体管工作在放大状态时，必须保证发射结正偏，故输入端始终存在输入电流。改变输入电流就可改变输出电流，所以晶体管是电流控制器件，因而晶体管组成的放大器，其输入电阻不高。 场效应晶体管是通过改变输入电压(即利用电场效应)来控制输出电流的，属于电压控制器件，因此输入电阻十分高，可高达上百兆欧。除此之外，场效应晶体管还具有温度稳定性好，抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等优点，所得到广泛的应用。 场效应晶体管分为结型场效应晶体管(JFET)和绝缘栅型场效应晶体管(IGFET)，目前最常用的是绝缘栅型场效应晶体管，又称为MOS管。 由于晶体管参与导电的是两种极性的载流子——电子和空穴，所以又称晶体管为双极型器件。场效应晶体管仅仅依靠一种极性的载流子导电，属于单极型器件。 1.4.1 场效应晶体管的分类 场效应晶体管从参与导电的载流子来划分，它分为由电子作为载流子的N沟道器件和由空穴作为载流子的P沟道器件两类。从场效应晶体管的结构来划分，它有结型场效应晶体管JFET(Junction type Field Effect Transister)和绝缘栅型场效应晶体管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分。绝缘栅型场效应晶体管通常由金属-氧化物和半导体构成，所以IGFET也称金属-氧化物-半导体场效应晶体管MOSFET （Metal Oxide Semicon-ductor FET）。 场效应晶体管的具体分类： 1.4.2 结型场效应晶体管 1 结型场效应晶体管的结构 2 结型场效应晶体管的工作原理简介（以N沟道结型场效应晶体管为例） 从结型场效应晶体管的结构可看出，我们在D、S间加上漏源电压UDS，则在源极和漏极之间形成电流ID。我们通过改变栅极和源极的反向电压UGS，则可以改变两个PN结阻挡层(耗尽层)的宽度。由于栅极区是高掺杂区，所以阻挡层主要是在沟道区。故|UGS|的改变，会引起沟道宽度的变化，其沟道电阻也随之而变，从而改变了漏极电流ID。如|UGS|上升，则沟道变窄，电阻增加，ID下降。反之亦然。所以改变UGS的大小，可以控制漏极电流。这是场效应晶体管工作的基本原理，也是核心部分。 结论：N沟道结型场效应晶体管工作时栅极电压始终为负，因此无栅极电流，故管子的输入阻抗很大。同时，UGS愈负，导电沟道愈窄，漏极电流愈小。实现了栅极电压UGS对漏极电流ID的控制作用，即压控电流作用。 1.4.3 绝缘栅型场效应晶体管 结型场效应晶体管的直流输入电阻（栅源间的电阻）是反偏PN结的电阻，由于存在饱和反向电流，故输入电阻不可能达到很高，一般只能达到107Ω以上，若要求更高，则需采用绝缘栅型场效应晶体管。 MOS管分耗尽型和增强型两大类，而每类又分N沟道和P沟道。 耗尽型是指在UGS=0时，管内已建立沟道，加上漏源电压UDS，便会产生漏极电流ID。以后，加上适当极性的UGS，ID逐渐减小。 增强型是指在UGS=0时，管内无沟道，加上漏源电压UDS，不会产生漏极电流ID。只有当UGS具有一定极性且达到一定数值之后，管子内才会产生导电沟道（增强）。 1 N沟道增强型MOS管 （1）结构 把一块掺杂浓度较低的P型半导体作为衬底，然后在其表面上覆盖一层SiO2的绝缘层，再在SiO2层上刻出两个窗口，通过扩散工艺形成两个高掺杂的N型区(用N+表示)，并在N+区和SiO2的表面各自喷上一层金属铝，分别引出源极、漏极和控制栅极。衬底上也引出一根引线，通常情况下将它和源极在内部相连。 N沟道增强型MOS管的结构示意图及符号 （2）工作原理 对N沟道增强型的MOS管，当UGS=0时，在漏极和源极的两个N+区之间是P型衬底，因此漏、源之间相当于两个背靠背的PN结。所以无论漏、源之间加上何种极性的电压，总是不导通的，即ID=0。 当UGS>0时，(为方便假定UDS=0)，则在SiO2的绝缘层中，产生了一个垂直半导体表面，由栅极指向P型衬底的电场。这个电场排斥空穴吸引电子，当UGS>UT时，在绝缘栅下的P型区中形成了一层以电子为主的N型层。由于源极和漏极均为N+型，故此N型层在漏、源极间形成电子导电的沟道，称为N型沟道。UT称为开启电压，此时在漏、源极间加UDS，则形成电流ID。显然，此时改变UGS则可改变沟道的宽窄，即改变沟道电阻大小，从而控制了漏极电流ID的大小。由于这类场效应晶体管在UGS=0时，ID=0，只有在UGS>UT后才出现沟道，形成电流，故称为增强型。 2 N沟道耗尽型MOS管 （1） 结构