半导体基础知识(1).pptVIP

2、半导体的导电特性 1）热敏性 与温度有关。温度升高，导电能力增强。 2）光敏性 与光照强弱有关。光照强，导电能力增强 3）掺杂性 加入适当杂质，导电能力显著增强。 3、常用半导体材料 1）元素半导体 如：硅、锗 2）化合物半导体 如：砷化镓 3）掺杂或制成其他化合物半导体的材料 如；硼、磷、铟、锑 说明 复合： 激发： 激发和复合成对产生成对消失 载流子：电子和空穴 漂移运动：载流子在电场力的作用下的定向运动 自由电子向电源正极移动，空穴向负极移动。虽然电子、空穴的运动方向相反，但在外电路中形成电流却一致。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 温度越高，载流子的浓度越高。温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。 2、分类 1）按材料分：硅管和锗管 2）按结构分：点接触和面接触 3）按用途分：检波、整流…… 4）按频率分：高频和低频 半导体二极管的型号 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 三、 二极管的伏安特性 式中IS 为反向饱和电流，u为二极管两端的电压降，UT =kT/q 称为温度的电压当量，k为玻耳兹曼常数，q 为电子电荷量，T 为热力学温度。对于室温（相当T=300 K），则有UT=26 mV。 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 图 二极管的伏安特性曲线 图示 1、正向特性 硅二极管的死区电压Uth=0.6V-0.7V左右， 锗二极管的死区电压Uth=0.2V-0.3V左右。 当0＜U＜Uth时，正向电流为零，Uth称为死区电压或开启电压。 当U＞0即处于正向特性区域。 正向区又分为两段： 当U＞Uth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 2、反向特性 当 U＜0时，即处于反向特性区 域。反向区也分两个区域： 当UBR＜U＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 当U≥UBR时，反向电流急剧增加，UBR称为反向击穿电压 。 PN结反向偏置 － － － － + + + + 内电场 外电场 变厚 N P + _ 四、二极管的参数 (1) 最大整流电流IF—— 二极管长期连续工 作时，允许通过二 极管的最大整流 电流的平均值。 (2) 反向击穿电压UBR——— 二极管反向电流 急剧增加时对应的反向 电压值称为反向击穿 电压UBR。 为安全计，在实际 工作时，最大反向工作电压 URM一般只按反向击穿电压 UBR的一半计算。 最大反向工作电压URM------ (3) 反向电流IR (4) 正向压降UF (5) 动态电阻rd 硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。 在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V。 反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然， rd与工作电流的大小有关，即 rd =?UF /?IF iD UD ID UD Q ?iD ?UD rD是二极管特性曲线工作点Q附近电压的变化与电流的变化之比： 显然，rD是对Q附近的微小变化量的电阻。 五、二极管的温度特性 温度对二极管的性能有较大的影响，温度升高时，反向电流将呈指数规律增加，如硅二极管温度每增加8℃，反向电流将约增加一倍；锗二极管温度每增加12℃，反向电流大约增加一倍。 另外，温度升高时，二极管的正向压降将减 小，每增加1℃，正向压降UF(UD)大约减小2mV， 即具有负的温度系数。 图 温度对二极管伏安特性曲线的影响 图示 例1 一限幅电路如图（a）， R=1kΩ,UREF=3V。（1）当ui=0V、6V时，分别求输出uO的值；（2）当ui=6sinωt V时，画出输出电压uo的波形（正向压降为零）。 六、二极管的应用 例 2、 二极管构成“门”电路，设 V1、V2 均为理想二极管，当输入电压 UA、UB 为低电压 0 V 和高电压 5 V 的不同组合时，求输出电压 UO 的值。 0 V 正偏 导通 5 V 正偏 导通 0 V V2 V1 UB UA 输出 电压 理想二极管 输入电压 0 V 0 V 正偏 导通 正偏 导通 0 V 0 V 5 V 正偏 导通 反偏 截止 0 V 5 V 0 V 反偏 截止 正偏 导通 0 V 5 V 5 V 正偏 导通 正偏 导通 5 V 例 3、 画出硅二极管构成的桥式整流电路在 ui = 15sin?t (V) 作用下输出 uO 的波形。 (按理想模型