模电二极管及其基本电路.pptVIP

模拟电子技术 刘 帆 1.1 PN结 图1.1表示的是由二极管、 灯泡、 限流电阻、 开关及电源等组成的简单电路。 按图 (a)所示, 闭合开关S, 灯泡发光, 说明电路导通 由于在型半导体和型半导体交界面两侧存在着空穴和自由电子两种载流子浓度差，即P区的空穴浓度远大于N区的空穴浓度，N区的电子浓度远大于P区的电子浓度，因此会产生载流子从高浓度区向低浓度区的运动，这种运动称为扩散。 综上所述，PN结具有单向导电特性 即PN结正偏时导通，呈现很小的电阻，可形成较大的正向电流；PN结反偏时截止，呈现很大的电阻，反向电流近似为零。 需要指出的是，反向电压超过一定数值后，反向电流将急剧增加，发生反向击穿现象，单向导电性被破坏。 七、二极管的主要参数 1. 最大整流电流 IF 二极管长期使用时,允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向工作峰值电压UBR 是保证二极管不被击穿而给出的反向电压，一般是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。 3. 反向峰值电流IRM 指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，IRM受温度的影响，温度越高IRM越大。硅管的反向电流较小( nA级)，锗管的反向电流较大(?A级)，为硅管的几十到几百倍。 4. 极间电容Cd Cd＝CB + CD 5. 反向恢复时间TRR 第1章 半导体二极管及其 应用电路 ?1.1 PN结 ?1.2 半导体二极管 ?1.3 整流滤波电路 ?1.4 特殊二极管 i u Uth Uth为二极管的死区压降：硅管 0.5V；锗管 0.1V。 rD为二极管的动态电阻，约为200 ?。 3、折线模型 折线降模型将二极管看成： 反向饱和电流＝0 ；反向击穿电压=∞。 折线模型 斜率为1/rD US＞Uth US＜Uth ＝ ＝ ＋ + u - + US - i R + u - i R + US - Uth i R + US - rD + u - US为恒定电压； ui为动态小信号电压。设：ui＝ Um sin?t 若电路工作在线性段，则根据叠加定理，电路可等效为： 4、小信号模型 所谓小信号模型如图示： + UD - US ID R + ud- id R + ui- rd + u - US i R + ui- 用前面学过的方法求 ＋ + u - US i R + ui- ＝ US为恒定电压； ui为动态小信号电压。ui＝ Um sin?t 显然，二极管上的电压电流关系，即负载线方程为： 证明： + u - US i R + ui- i u 当ui＝0时——称为静态，此时负载线称为直流负载线，它与伏安特性的交点Q(UD, ID)称为静态工作点。 当ui≠0时——称为动态，此时负载线称为交流负载线，它随ui 的变化而移动，它与伏安特性的交点在Q和Q之间移动。 US US/R Q Q Q US+Um US-Um 此时工作点的变化范围很小，且在Q点附近，即在伏安特性的线性段移动，故对小输入信号ui而言，二极管相当于一个电阻rd，大小可由下列方法求得： i u Q △i △u 所以： 即： 二、图解分析法 前提条件：已知二极管的V-I曲线。 例1 已知二极管的V-I曲线及其各元件参数, 求uD、iD i u + uD - UDD iD R 解：由电路得二极管两端电压电流的关系为： uD＝UDD－iD·R 在V-I曲线图上作此直线方程，通过两曲线的交点即可求出uD、iD 。 UDD iD uD 负载线 三、迭代法 前提条件：已知二极管的V-I曲线的数学模型。 例2 已知二极管的V-I曲线方程为： + uD - UDD iD R 解：由电路得二极管两端电压电流的关系为： uD＝UDD－iD·R 联立两个方程求解即可。 求图示电路uD、iD 的大小。 恒压源模型 测量值： 9.32 mA 相对误差： 理想二极管模型 相对误差： I R + E 10V - 1kΩ 0.7V I R 1kΩ + E 10V - I R 1kΩ + E 10V - 例3 求图示二极管上的电流 I 。 二极管构成的限幅电路如图所示，R＝1kΩ，UREF=2V，输入信号为ui。 ui为4V的直流信号，分别采用理想二极管模型、恒压源模型计算电流I 和输出电压 uo 解：(1)采用理想模型分析。 (