沉积气压对ZnO薄膜结构与光学性能影响.pdf

沉积气压对ZnO薄膜的结构与性能影响 中文摘要 中文摘要 ZnO薄膜是一种直接宽带隙半导体材料，具有较高的激子束缚能(60eV)，即使 在室温条件下激子也不会分解，具有多种用途，因此近年来对ZnO基半导体材料的 研究越来越为人们所重视，为了研究沉积气压对磁控溅射制备Zno薄膜的结构与性能 (11 采用X射线衍射(xIm)、扫描电镜(SEM)、紫外．可见分光光度计等分析测试手段， 研究了样品的表面形貌、晶体结构、光学学性能等。重点研究了不同的沉积气压对 ZnO薄膜结构和光学性质的影响。 结果如下： 1 一．采用CS．400型射频磁控溅射仪在Si(11)和石英基底上成功的制备了ZnO薄 膜，对不同沉积气压下的ZnO膜进行了结构和光学性质的研究。XRD和SEM测试结果 显示了在合适的沉积气压(2．0Pa)下，制备出结晶良好，具有良好C轴择优取向的ZnO 膜，随着沉积气压的上升，晶粒尺寸先变大再变小，结晶质量先变好再变差，同时通 过计算发现薄膜的晶格常数C也随之增大，薄膜的(002)峰位向小角方向偏移。在ZnO 薄膜的透射谱研究中，发现在可见光区域的平均透过率超过80％，陡峭的吸收边在 380nm左右，所对应的光学带隙约为3．23舭3．27eV，随着沉积气压的上升变化很小。 我们认为所有的光学性质都来源于物质电子的电磁辐射作用，所以不同沉积气压下ZnO 对比，由于25％N2气氛下ZnO薄膜的结构和光学性质和纯加气氛下制备的ZnO薄膜的结 构和光学性质并无很大区别，我们认为当采用N2作为掺杂源时，N2并没有被激发成为 活性氮，难以形成稳定的有效浓度的N掺杂ZnO。 沉积气压对ZnO薄膜的结构与性能影响 中文摘要 渐减少而较小的球状颗粒逐渐增多；样品中Cu元素的掺入，薄膜沉积的则优取向更明 显，颗粒尺寸减小以及球状颗粒的增多，薄膜的致密性增强，薄膜的厚度受到影响。 实验中采用N2作为掺杂源时，没有检测到眦u键的存在，所以难以形成稳定的有效 浓度的N掺杂ZnO。 关键词：射频磁控溅射；ZnO薄膜；透射率；光学带隙；PL谱 作 者： 蒋平 指导教师： 吴雪梅诸葛兰剑 n 沉积气压对ZnO薄膜的结构与性能影响 英文摘要 Effectof onstructuraland depositionpressure optical ofZnOfilms properties Abstract ZnO wideband substantialinterest films，adirectly gapsemiconductor,hasgained ofits leadto because exiton could action lasing large bindingenergy(60meV)，which basedexitonrecombinationevenaboveroom havebeen studi