RF-PECVD制备微晶硅薄膜X射线衍射的研究.docVIP

本文由wujinfeng05贡献 pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 维普资讯 第３ ６卷 第 ３ 期　 ２０ ０ ７年 ６月 　 人　 工　 晶　 体　 学　 报　 Ｊ ＯＵＲＮＡＬ 　ＯＦ ＹＮ ＨＥＴ Ｃ ＲＹＳ ＡＬ 　 　Ｓ Ｔ Ｉ 　Ｃ Ｔ Ｓ Ｖ０． ６ Ｎｏ ３ １３ 　 ．　 Ｊｎ ．０ ７ ｕ ｅ２ ０　 Ｒ ．Ｅ Ｖ 制备 微 晶 硅 薄 膜 的 Ｘ 射 线 衍 射 研 究　 ＦＰ Ｃ Ｄ 蔡宏琨　 ， 张德 贤　何　 青　赵　 飞 ， ， ， 　 陶　 科　席　 强　 孙　 云　 ， ， （ ．南开大学信息技术科学学院光 电子薄膜器件 与技术研究所 ， １ 天津 ３０ ７ ； ００ １ 　 ２ ．南开大学信息技术科学学 院电子科学 与技术 系， 天津 ３０ ７ ） ００ １　 摘要： ｘ射线衍射（ Ｒ ） 采用 Ｘ Ｄ 技术连续扫描法和薄膜衍射法对 Ｒ —Ｅ Ｖ ＶＰ Ｃ Ｄ制备的微晶硅薄膜结构进行了研究。改　 变硅烷浓度和反应功率 ， 控制薄膜 的生 长速率 ， 已达到制备不 同材料 的 目的 。根 据硅基薄 膜 的电学特性 和 Ｘ Ｄ测　 Ｒ 试， 随着反应功 率的增加 ， 硅基 薄膜